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【太平洋科技资讯】12月14日消息，在近期举办的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上，全球领先的半导体制造商台积电公布了其最新的技术研发进展。据台积电透露，其1.4nm级别的工艺制程研发已经全面启动。
台积电在会议上重申，其2nm级别的制程将按照预定计划在2025年开始量产。这一计划的实施将进一步巩固台积电在全球半导体制造领域的领先地位。此外，据消息人士透露，台积电的1.4nm制程节点的正式名称为A14。
尽管台积电目前尚未公布A14的量产时间和具体参数，但根据其已公布的生产计划，可以推测A14节点预计将在2027年至2028年间问世。这一预测基于台积电N2节点计划于2025年底量产，N2P节点则定于2026年底量产的现状。
在技术层面，台积电的A14节点可能不会采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术，但台积电仍在积极探索这一领域。预计A14将像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术。
台积电强调，为了使N2和A14等节点能够真正发挥作用，实现新的性能、功耗和功能水平，需要进行系统级的协同优化。这一点对于台积电的研发团队来说，无疑是一个巨大的挑战。
近日，台积电董事长刘德音在接受采访时表示，明年半导体市场将是健康成长年，请大家放心。而对于外传三星在2nm采降价策略抢单的消息，刘德音则说："客户还是看技术的品质"，隐约透露对台积电先进制程技术与良率优势深具信心。
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