【IC风云榜候选企业216】瑞森半导体：自主研发三大产品系列 瞄准国产替代

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。

【候选企业】瑞森半导体科技（广东）有限公司（以下简称：瑞森半导体）

【候选奖项】年度优秀创新产品奖、年度技术突破奖

集微网消息，在双碳目标和国产化政策推动下，随着下游光伏/风力发电、新能源汽车及充电设备、工业控制以及消费电子等领域的蓬勃发展，国内功率半导体器件的需求愈加旺盛。近几年，国内一些企业在功率半导体器件方面发展迅速，瑞森半导体便是其一。

瑞森半导体（REASUNOS）起步于2007年，是一家专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的国家级高新技术企业， 致力于为全球客户提供功率半导体整体解决方案。

瑞森半导体核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅（SiC）产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。在集成芯片领域，国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC，是具备较强竞争力、自主创新的产品。在功率器件领域，就更高耐压、更大电流，模块化等发展方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持续投入研发中。

目前瑞森半导体与湖南大学成立“湖南大学半导体学院产教融合基地”，联合共建功率半导体和集成技术全国重点实验室、长沙半导体技术与应用创新研究院，深度进行功率半导体器件及功率IC的技术创新和研发合作。以技术创新为驱动，以新产品开发与应用为核心，瑞森将联合半导体和集成技术全国重点实验室、长沙半导体技术与应用创新研究院,在对现有的硅基产品进行迭代升级、持续开发的同时，也专注于碳化硅器件的设计、材料缺陷以及功率密度的提升，在功率IC领域视同一律，着重发力，聚焦高转换效率、谐振半桥、数模混合等。

瑞森半导体专注于低功耗、高转换效率产品开发，现已形成硅基功率器件（20V-1500V MOSFET）、碳化硅基功率器件（650V-1200V-1700V-2000V SiC MOSFET/SBD）、功率驱动IC三大产品系列，产品被广泛应用于开关电源、绿色照明、电机驱动、数码家电、安防工程、光伏逆变、5G基站电源、新能源汽车充电桩等领域。

瑞森半导体凭借着强大的产品综合实力及技术优势，从单一的产品销售到为全球客户提供功率半导体整体解决方案。同时2023年瑞森半导体开启了全球性扩张模式，在中国市场，先后成立瑞森半导体科技（湖南）有限公司、瑞森半导体科技（深圳）有限公司，代理商遍布全国各地。在国际市场，先后开发印度、菲律宾、新加坡、俄罗斯等，代理商全球销售网点持续扩张。通过一如既往的高可靠性、高稳定性，良好的供应链管理和充足的产能储备，瑞森半导体在全球市场，得到了广泛的认可。

瑞森半导体凭借集成LLC 控制功率模块RSC6218A/RSC6205A系列产品，竞逐IC风云榜“年度优秀创新产品奖”“年度技术突破奖”。

2023年10月，瑞森半导体独立自主研发推出适用在5W-18W/20-50W功率段的RSC6218A/RSC6205A系列产品，一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路和功率转化器件的半桥模块，可用于LLC谐振拓扑，电路工作频率可达200KHz，采用绝缘体上硅SOI及BCD工艺输入电压范围高达600V以上；内部集成：欠压检测模块、整流器模块、误差放大器、压控振荡器、逻辑处理模块、电平移位模块、高边驱动模块、低边驱动模块；通过优化产品内部设计，将多颗平面高压MOS进行合封；提升产品内部功率器件的开启与关闭性能；采用独特的宽体WSOP-14封装；产品可广泛应用于高端商业照明领域、轨道交通照明领域、护眼教育照明等领域。

该系列产品具有以下创新点：

1、属于国内首创创新技术研发；

2、通过优化芯片内部设计实现LLC谐振半桥控制与功率器件集成，数控原边反馈，无噪音，效率高；

3、控制芯片具备自适应的调节技术，大幅提升抗干扰能力，有效增强可靠性；

4、独特的宽体WSOP-14封装，兼顾功率与散热，实现产品小型化，提升整体方案的一致性，生产直通率，优化方案性价比；简化方案，精简方案元件数量等。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度优秀创新产品奖】

旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代，对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，近一年内实现新产品的研发及产业化；

2、产品的技术创新性强，具有自主知识产权，产生一定效益，促进完善供应链自立自强。

【评选标准】

1、技术或产品的主要性能和指标（30%）；

2、技术的创新性（40%）；

3、产品销量情况（30%）。

【年度技术突破奖】

旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；

2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性（50%)

2、技术或产品的主要性能和指标(30%)

3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）