北京
分享至
金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置及其制造方法“，公开号CN117174713A，申请日期为2023年3月。
专利摘要显示，提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：鳍状有源区域；器件隔离层，覆盖位于基底上的鳍状有源区域的两个侧壁；栅极结构；纳米片结构，包括多个纳米片；以及源极/漏极区域，设置在鳍状有源区域上并且与栅极结构相邻，其中，源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域包括顺序堆叠的缓冲层、内部杂质层和中心杂质层，其中，缓冲层填充两个竖直相邻的纳米片之间的第一凹进和鳍状有源区域的顶表面与纳米片之间的第二凹进，并且其中，所述多个纳米片接触内部杂质层的侧表面。
本文源自金融界
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
