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集微网消息，近日，国际固态电路大会（ISSCC 2023）举行，本届ISSCC上微纳核芯参与的3项AIoT芯片成果成功入选，覆盖存算一体AI芯片、高能效电容型感知芯片和极低功耗振荡器芯片，至此微纳核芯参与成果已连续4年入选ISSCC，累计数量已达9项，全球排名前列。
存算一体AI芯片
面向边缘AI场景，针对传统存内计算芯片冗余数据处理产生功耗浪费的问题，团队提出基于差值求和计算方式的模拟存内计算拓扑，团队研制差值求和模拟存内计算芯片，在综合评估指标（=能量效率×面积效率）下，达到26.72 TOPS/W × TOPS/mm2，是世界最好的存内计算芯片的1.25倍。
“存算一体AI芯片”具有高能效、高算力、高通用性三大特性，可应用于边缘端AI计算场景，如：图像识别、语音识别、安防监控等。该创新有望与图像传感器相结合，实现针对边缘端AI的感存算一体高效智能处理。
高能效电容型感知芯片
该工作面向物联网传感器应用，针对不断上升的高速高精度电容数字转换器需求，实现一款高性能电容传感器，突破传统电容采样过程中采样热噪声造成的性能瓶颈。
团队研制一款基于22nm CMOS工艺的紧凑型高能效电容传感器芯片，该电路在22nm工艺下实现对0-5.16pF电容值测量，精度达到37.12aF，在所有高精度（1fFrms噪声水平）电容传感器中具有最高的能效（7.9fJ/conv.-step），且达到71.3dB的信噪比，相较前人的工作将能效提升一倍。
“高能效电容型感知芯片”具有高能效、高精度、小面积、高转换速度等特点，可广泛应用于面向电容传感的各类物联网传感器和前端应用中，并且为电容传感芯片的小型化提供全新的解决方案。
极低功耗振荡器芯片
该工作面向智能物联网AIoT芯片应用，针对需要周期唤醒的AIoT芯片，设计并实现一款超低功耗晶体振荡器电路，并实现综合条件下国际领先的低功耗与计时精度。
团队研制一款基于22nm CMOS工艺的超低功耗32kHz晶体振荡器芯片。该电路在使用ECS-2X6X音叉型32kHz晶体下，在25˚C室温下的平均功耗仅为0.954nW，取得已发表过的基于32kHz电流注入晶体振荡器中功耗最低的世界纪录。其在80˚C下的功耗仅为1.90nW，为低功耗晶体振荡器中的世界纪录。该晶体振荡器在长时工作下表现出低至6ppb的Allan误差，取得单电源晶体振荡器电路的长时稳定性世界纪录。
“极低功耗振荡器芯片”可广泛应用于面向环境应用的IoT芯片中，作为其中低功耗高精度实时时钟模块的核心。（校对/赵碧莹）
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