尼康、佳能拿下光刻机订单后，ASML感叹：我们“中计”了

作为当下半导体企业中最为耀眼的明星，来自荷兰的ASML自然吸引到了众多目光的注意，但是在ASML的阴影之下，还是有其他企业在默默发力，时刻准备给予其致命一击，来自日本的光刻机厂商尼康和佳能就是这样的存在。

其实在ASML之前，尼康和佳能才是半导体市场上的领导者，两者也合力拿下超过80%的市场份额。那么这两家日系半导体设备巨头为何失败呢？其中既有内因，也有外因。

在20世纪末，光刻机的波长达到了193纳米，能够制造的最大精度是65纳米芯片。作为当时技术领先者的尼康和佳能开始攻关更为先进的157纳米，但是作为后来者的ASML没有足够的技术以及资金来进行研发，只能另辟蹊径。

此时另一个重要人物出现，那就是台积电的技术负责人林本坚。他提出的浸润式光刻法是基于既有的193纳米波长的基础上，利用水来充当介质，利用折射的特性使得波长等效于134纳米。借助浸润式光刻技术，ASML一举反超尼康、佳能所打造的干式157纳米，成为新的技术领导者。

同时为了打压当时如日中天的日系半导体厂商，美国通过《美日半导体协定》等手段强制要求日系半导体厂商共享技术以及市场，同时联合IBM、英特尔等厂商组建EUV LLC联盟并将技术转交由ASML实现，而尼康和佳能则被排除在这个联盟之外。多重打击之下也使得尼康和佳能的市场份额不断萎缩。

但是ASML在成为全球最大的半导体设备厂商之后也逐渐失去了以往的谦逊，同时由于EUV技术受制于美国，因此也选择了跟随美方断供的策略。此时的尼康和佳能也迎来了自己翻身的机会，根据日经新闻等多家媒体的报道，大量国产厂商开始转向尼康和佳能这两大半导体设备厂商，并开始替换ASML设备。而这对于ASML也是不小的打击。

当年尼康和佳能被排除在EUV LLC联盟之外，使得它们无法使用EUV技术，最终不得不走上另外的技术路线，如今看来反而使得它们不必受到美方的桎梏。尼康继续在缩小波长的技术路径上研发，并已经拥有使用ArF技术制造出7纳米芯片的能力；佳能则另辟蹊径，研制出纳米压印光刻（NIL）并达到5nm精度，绕过了EUV技术的封锁。

如今随着ASML无法自由供货，尼康和佳能也迎来了翻身的最好机会。和ASML严重依赖美方技术不同，尼康和佳能的技术都是自主可控的，虽然在精度和良品率上距离ASML依然有所差距，但也是当下可行的解决方案。而尼康和佳能之所以一直坚持研发光刻机没有放弃，也是为了有朝一日能够“一雪前耻”，击败ASML夺回失去的市场地位。

“天下熙熙皆为利来，天下攘攘皆为利往”，尼康和佳能对抗ASML的背后依然是利益所在，而这也是我们可以利用的一点。当然相比尼康和佳能，扶持国产光刻机厂商依然是最为优先的选择。但是在国产光刻机企业成长起来之前，尼康和佳能也给我们提供了在ASML之外的另一个选择机会。

相反对于ASML来说则不是一个好消息，遵守断供要求则意味着ASML将失去大量的市场份额，以及国内这个全球最大也是最重要的芯片需求地。尼康、佳能乃至于国产光刻机厂商也能通过不断扩大市场份额来提高技术水平和实力，这也是ASML感叹“中计”了的原因。

就像ASML取代尼康和佳能成为最大的半导体设备厂商一样，当竞争进入下半场，究竟是尼康和佳能完成逆袭，还是国产企业渔翁得利？或许只有时间能给我们答案了。