百舸争流，奋楫者先：宏光半导体征战“芯”时代

作者：芯榜-王世权

12月13日，宏光半导体召开的股东特别大会决议案顺利获通过，协鑫科技创办人、主席兼执行董事朱共山正式成为宏光半导体的主要战略股东，助力宏光半导体在新能源领域开疆拓土。尽管作为行业“新”兵，但甫一入行，就动作频频，转型之初就快速组建了一支拥有丰富经验且专业的研发与管理团队，同时连续收购了多家国际领先的氮化镓（“GaN”）技术研发及应用公司，且大手笔在徐州经济技术开发区设立新工厂，仅用3个月时间就生产出6英寸GaN器件外延片，展现了非凡的潜力与可期的发展前景，获得了朱共山的青睐。

朱共山在新能源领域声名远扬，一手创建了世界新能源老牌龙头企业协鑫科技，被尊称“世界硅王”，而宏光半导体进入第三代半导体领域仅两年，是行业“新”兵，又是有着什么样的魅力能够吸引“世界硅王”助阵？

1、布局“芯”能源

2022年8月4日，朱共山与宏光半导体签订了投资协议，同意认购6,000万股认购股份及6,000万份认股权证，并在9月26日完成对宏光半导体的业务、财务及法律等进行之尽职调查，信纳其结果，并于9月30日与朱共山正式签订上述投资协议的认购协议。于2022年9月7日，一间以朱共山及其家族成员为受益人的全权信托持有之公司—协鑫集团与宏光半导体订立战略合作框架协议，展开着重于第三代半导体GaN功率芯片在新能源领域的应用的长期战略合作。

光伏新能源是GaN的主要应用领域之一，尤其是在能源工程业务、太阳能逆变器及储能技术中，GaN以突出的系统体积、功率密度及生产成本优势，更是必需的基础组件。

而协鑫集团作为全球光伏新能源产业的龙头企业，凭借其新能源产业的领导地位及其全面布局将协助宏光半导体进入新能源产业供应链市场。在上游，协鑫集团可长期以具有竞争力的价格向宏光半导体供应优质硅片，确保其GaN业务的原材料来源及业务发展的稳定性和高质量，在下游，协鑫集团可采购宏光半导体新开发且具备先进技术的徐州工厂制造的GaN芯片，从而双方建立起紧密的合作关系，并发挥出协同效应。

2、洞见“芯”未来

在过去的几十年里，第一代半导体材料硅一直作为电子电气领域的主流材料，引导着半导体产业的发展，然而硅材料虽有诸般好处，但在高频和高压下的性能却不尽如人意，随着科技水平和下游需求的增长，以GaN为代表的第三代半导体材料应运而生。

GaN相比传统半导体材料硅具有更大的禁带宽度和更细窄的耗尽区，可以处理高压、高温场景，并提供更快的开关速度，目前在消费电子领域的应用已率先拉开大幕，其中，苹果在其最新发布的笔记本电脑亦采用GaN芯片；汽车巨头BMW以及丰田大举投资GaN企业，GaN功率芯片上车在即。

在光伏新能源领域，GaN功率器件能够有效提升光伏发电效率，并可使逆变器产生更干净的正弦波，导致无源元件的明显减少，进而降低光伏发电系统的尺寸、重量和成本，也可使储能系统实现低转换损耗，随着“双碳”目标推动光伏发电与配套储能系统装机量上升，GaN功率器件对于新能源产业的重要性正逐渐显露，全球GaN市场规模将呈现爆发式增长。

根据Yole, IHS及中金的预测，至2026年，全球GaN功率半导体市场规模有望达到21亿美元，2020E-2026E CAGR达117%，也正是由于第三代半导体在新科技领域的卓越性能表现及广阔的市场空间，自2016年以来，各地区开始出台了大量政策促进第三代半导体产业的发展，在近几年更是升级到国家战略，在国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已明确第三代半导体是重要发展方向，且随着国家发力推广5G基站、特高压、新能源汽车、充电桩、城际高铁等下游应用，势必将进一步支持第三代半导体产业的发展。国家政策支持叠加超长赛道给第三代半导体行业提供了巨大的发展机遇，也更加坚定了宏光半导体进行业务转型的决心，因此宏光半导体于2021年决意进军GaN领域，矢志成为中国供应第三代GaN半导体的业界领导者。

3、踏上“芯”征程

自2021年在徐州经济技术开发区设立一间超7,000平方米的新工厂后， 宏光半导体就从未停止其快速前进的步伐，凭借先前在LED领域积累的丰富科研生产经验，快马加鞭的发展其GaN的业务。且在徐州工厂短短三个月的生产设备和技术调试后，成功生产出达到国际大厂高良率标准的6英寸GaN功率器件外延片，并开始形成产能和陆续展开销售，投产周期远低于行业的一到两年的标准。 宏光管理层表示“成功制造外延片是为宏光快速产业化及量产第三代GaN半导体铺路，此乃集团业务向第三代GaN半导体供应商转型的重要成果，是标志着集团第三代GaN半导体商业化的里程碑！”

为何GaN外延片的量产如此重要，并成为宏光半导体转型路上的里程碑？据了解，在GaN产业链中，外延片工艺是核心技术环节，决定了GaN器件产品约70%的性能，并且其成本也占整个GaN价值链的近50%。然而，由于硅基GaN属于异质外延，导致在硅衬底上生长GaN非常困难，容易出现裂纹、曲翘等缺陷，这些困难共同导致了GaN极低的良率和极高的成本，因此外延片能否实现高良率生产，是衡量一家GaN企业核心竞争力的重要指标之一。

能在如此短的时间内实现GaN外延片高良率的量产，是源自于宏光半导体强大的核心技术研发与管理团队的组建。自2021年开启第三代半导体业务转型以来，宏光以超高的效率组建了国内顶级的技术研发与管理团队，包括GaN半导体业务核心专家陈振博士，GaN HEMT器件设计和工艺制造的核心专家Thomas Hu博士，半导体行业及晶圆代工技术及管理方面均具有丰富经验的吕瑞霖和闵军辉等科研团队专家。另外，宏光半导体亦先后投资了以色列GaN器件全球领先者VisIC及加拿大GaN技术的全球领导者GaN Systems Inc等国际领先的GaN技术研发公司，同时又与中国泰坦能源等达成战略合作协议，加速在充电桩领域快速充电系统解决方案的合作开发。其中，VisIC已与世界领先汽车供应商如 Mercedes Benz建立合作伙伴关系；而GaN Systems更已突破高电流GaN功率半导体技术，深受BMW、苹果和三星的认可。宏光半导体作为他们的战略投资者及潜在代工合作伙伴，有望能生产车规级的GaN高功率芯片。

宏光半导体目前研发实力已处于国内外领先水平，且有了协鑫集团朱共山等战略合作伙伴的加持，整合了产业链上下游资源，能够有效的发挥出产业链合作的协同效应，提升整体工艺水平，已初步显露出龙头企业的潜质。在中美半导体战争日趋白热化的关键时刻，我们十分期待宏光半导体能够把握中国市场的蓬勃机遇，快速发展壮大，引领本土第三代半导体组建中国军团，在“芯”时代征战全球市场，取得“芯”辉煌！

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