近日,昕原半导体宣布其ReRAM新型存储技术在28nm工艺节点上通过严苛测试,“昕·山文”安全存储系列ReRAM产品成功交付工控领域头部企业禾川科技,实现在工业自动化控制核心部件的商用量产。
昕原半导体28nm制程ReRAM产品进入工业领域,验证了ReRAM技术在2xnm工艺节点上产品级的性能、良率,以及ReRAM技术的可靠性和稳定性,为后续在存内计算、存内搜索、智能汽车、数据中心等更多领域的应用奠定基础。
国内首条,昕原半导体 28/22nm ReRAM 12 寸中试线通线试产:除了台积电,只此一家
据介绍,昕原半导体成立于 2019 年,专注于 ReRAM 新型存储器产品及相关衍生产品的研发,已成长为国内新型存储器技术的头部企业,也是国际上新型存储器产品商业化最快的公司。公司开发的 ReRAM 存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点,可形成未来存储架构的最后一级缓存(FLC,Final Level Cache),消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器,ReRAM 能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。
▲ 图源:昕原半导体
比NAND闪存快一千倍
据杭州日报报道,传统 CMOS 代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的 12 寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM(阻变存储器)12 寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快,产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得 ReRAM 相关产品的快速实现变成了可能。
昕原半导体相关负责人表示,目前在 ReRAM 领域国内外差距较小,壁垒尚未形成,为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。目前该公司是除台积电外,唯一一家在 28nm / 22nm 先进制程 ReRAM 实现量产的公司。
ReRAM存储芯片和NAND闪存一样用作存储芯片,但是它的性能会更加强大,它的密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。如果ReRAM存储芯片顺利应用于市场,将给存储市场带来巨大的变革。
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