英特尔计划2024年超越摩尔定律

摩尔定律是英特尔联合创始人戈登摩尔 (Gordon Moore) 提出的处理器进展的指标，但是近年来发展缓慢。英特尔首席执行官帕特·盖辛格 (Pat Gelsinger)周三表示，凭借新的芯片制造技术，摩尔定律仍然有效。

英特尔声明，该公司在过去五年左右的时间里一直在努力推进其芯片制造，并且失去了其他两家顶级芯片制造商台湾半导体制造公司和三星的领导地位。

摩尔定律，严格来说源于摩尔在 1965 年，即处理器上的晶体管数量每两年翻一番。这不是物理定律：通过改进制造，可以在芯片上构建更多电路，使其更强大，并为下一轮技术创新提供资金

但随着研究和制造成本越来越高，已经步履蹒跚。芯片元件达到原子级，功耗问题限制了时钟速度，使芯片处理步骤保持同步。

因此，如今人们经常使用摩尔定律来指代性能和功耗的进步以及在芯片上更密集地封装更多晶体管的能力。

Gelsinger 指的是传统定义，指的是处理器上晶体管的数量——尽管处理器可以由多个内置在单个封装中的硅片组成。

英特尔Gelsinger 承诺将在 2024 年实现超越摩尔定律。英特尔努力从其 14 纳米制造工艺转向 10 纳米工艺，而台积电和三星则保持了更好的进展。英特尔采用其最新的制造工艺，称为 Intel 7，以前称为 10nm Enhanced Superfin，为 PC构建新的Alder Lake 处理器。它已开始向台式 PC 制造商提供正式名称为第 12 代酷睿处理器的Alder Lake 芯片，用于游戏机。

英特尔客户计算事业部执行副总裁 Gregory Bryant 在英特尔活动中表示，该公司现在正在出货台式机处理器，并将于下个月开始出货高性能笔记本电脑处理器。值得注意的是，多年来，英特尔为其台式机和移动处理器使用了两种不同的制造工艺和芯片设计。

芯片竞争日益激烈的AMD处理器和苹果的新M1 Pro和M1芯片在其新的MacBook Pro笔记本电脑。

英特尔 RibbonFET技术，这项技术更广泛地称为全域栅 (gate all around) 或 GAA。它转换晶体管，使电流在一堆薄带状半导体中流动，这些半导体完全被栅极材料包围，栅极材料可以打开和关闭电流。

其次是英特尔的 PowerVia，更广泛地称为背面供电。这为芯片制造增加了新的处理步骤，但意味着晶体管从一侧汲取电力，同时连接到另一侧的数据通信链路。今天的芯片试图将这两种功能塞进一侧，增加了复杂性并限制了小型化。

同样关键的是采用极紫外芯片制造设备，该设备使用较小波长的光将晶体管电路蚀刻到硅片上。升级极其昂贵，台积电和三星在转向 EUV 效率方面击败了英特尔，但升级简化了制造，否则需要更多步骤。

英特尔还承诺将率先升级到高数值孔径 EUV。这是英特尔计划在 2024 年追赶之后，在 2025 年超越台积电和三星的计划的又一步。