集微网消息，随着电池容量增加以及快充良好的用户体验，高功率的充电器尤为重要；在功率大幅度增加的同时，体积越小越好，因而需要更高功率密度的器件才能满足。采用氮化镓（GaN）这种宽禁带（WBG）材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。
顺应这一发展趋势，5月25日，英飞凌在深圳发布集成式功率级（IPS）产品 CoolGaN™ IPS 系列产品，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）。
CoolGaN™ IPS产品
其中代表产品600 V CoolGaN 半桥式IPS——IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型（e-mode）HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER™系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。
隔离栅极驱动器拥有两个数字 PWM 输入，让 IGI60F1414A1L 更易于控制。 为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。 即便在电压上升或下降速率超过 150 V/ns 的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和杰出的稳定性。
IGI60F1414A1L的切换特性可以简易地根据不同的应用借由一些栅极路径的被动元件诸如阻容器件实现。例如，此特性可使电流或电压速率优化，以降低电磁干扰（EMI）效应、稳态栅极电流调整和负栅极电压驱动，在硬切换开关应用中稳定运行。
此外，系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。 这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35 W/in³。 灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如 LLC 谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。
据英飞凌透露，采用加强散热型8x8QFN-28封装的IGI60F1414A1L目前已量产并开放订购。（校对/Arden）
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