来源:金融界网
事件:据中国政府网消息,国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议5月14日在北京召开。会议专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
芯片微缩工艺在传统摩尔定律范式下已经运行了半个世纪,目前即将走向尽头,这是硅的物质极限所决定的,也是全新的AIoT计算架构的要求,未来将在材料和封装上创新,具体体现在五大方向:
1、成熟工艺(八寸片、功率半导体):IGBT和MOS管属于开关电源,是工业之米,必选消费品。随着国内新势力造车,以及中国的人口优势,在未来新能源汽车渗透率逐年提升的行业背景下,国内功率半导体公司将迎来黄金发展期。
2、第三代半导体(SiC、GaN):我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展,目前GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化,4英寸已经实现样品生产。对于GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化,8英寸正在进行产品研发。GaN材料应用范围从LED向射频、功率器件不断扩展。
3、先进封装(SiP、SOIC、CoWoS):先进封装之所以能够成为持续优化芯片性能和成本的关键创新路径,主要在于以下两点:1.小型化;2.高集成。先进封装技术引领封装行业发展趋势,是未来低功耗、高性能、小型化终端应用的必然选择。
4、特色工艺制造(射频):射频前端模块(RFFEM)是终端通信的核心组成部件,介于天线和收发之间。射频前端模块主要包括开关(Switches)、功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)/双工器(Duplexer)等。
5、计算架构(IP、ARM、RISC-V):RISC-V具有完全开源、架构简单、易于移植、模块化设计、完整工具链支持等特点,适用于现代云计算、智能手机和小型嵌入式系统。
基于以上分析,我们建议关注以下标的:
1)成熟工艺:中芯国际、华虹半导体、华润微、闻泰科技、士兰微、扬杰科技、捷捷微电;
2)第三代半半导体:三安光电、华润微、闻泰科技;
3)先进封测:长电科技、环旭电子、深科技、通富微电、晶方科技;
4)特色工艺:比亚迪半导体、中车时代、斯达半导、卓胜微、士兰微、闻泰安世、中芯国际;
5)制造设备:北方华创、中微公司、华峰测控、精测电子、万业企业、盛美半导体、长川科技;
风险提示:中美贸易摩擦加剧;半导体下游需求不及预期;半导体产品创新不及预期;国产替代不及预期。
来源:方正证券
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