自从台积电、三星在14/16nm节点超越英特尔之后，半导体届的制程工艺节点命名就乱了，台积电又推出了6nm工艺（N6），听上去好像又先进了一代，不过它实际上是基于现有的7nm工艺改进的，设计方法与7nm工艺完全兼容，但逻辑密度提升18%，2020年Q1季度试产。
自从台积电、三星在14/16nm节点超越英特尔之后，半导体届的制程工艺节点命名就乱了，除了英特尔还在老老实实按照业界标准命名工艺，14nm改进了三代都没改名什么12nm、11nm工艺，但三星、台积电两家就不同了，制程工艺命名随意多了，三星一口气从14nm、11nm、10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、3nm工艺都命名完了，台积电这边则有16nm、12nm、10nm、7nm、7nm+、5nm，不过昨晚开始他们也推出了6nm工艺（N6），听上去好像又先进了一代，不过它实际上是基于现有的7nm工艺改进的，设计方法与7nm工艺完全兼容，但逻辑密度提升18%，2020年Q1季度试产。
台积电的6nm工艺有点类似16nm到12nm工艺的改进，实际上是基于7nm工艺改进的，台积电表示他们利用了7nm（N7）到7nm EUV（N7+）工艺的经验及技术，使得N6工艺的逻辑密度提升了18%，但设计方法与7nm工艺又是完全兼容的，所以原先的设计是可以快速过渡到N6工艺上的，上市时间更快。
与7nm工艺相比，6nm工艺主要是提升了18%逻辑密度，也就是说单位面积上的晶体管数量更多，或者说同样的晶体管数量下核心面积会更小，因此6nm工艺具备更好的成本优势，同时性能、功耗优势与7nm工艺保持相同。
台积电预计在2020年Q1季度试产6nm工艺，主要针对中高端移动芯片、AI、5G、消费级产品、GPU等等。
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