5Mask
目前制作非晶硅基板用的基本为5Mask工艺，即需要五道光刻工艺。
第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案（标记图案用于接下来工序的对位基准）。
第二道光刻工艺:形成半导体图案,即非晶硅岛,作为TFT沟道。
第三道光刻工艺:形成源漏金属层,主要包括数据线TFT源漏电极。
第四道光刻工艺:形成接触孔,主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区第五道光刻工艺:形成ITO电极,主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。
这五道Mask相对成熟,良率也较为稳定。而每一道光刻工艺又包含曝光、显影、刻蚀、剥离四步,每一步都需要投入材料、人力、时间,如果能减少光刻数量,则可以降低制造的成本。由此产生了4Mask工艺。
4Mask
与5Mask不同的是,4Mask工艺将半导体层与源漏金属层采用同一道Mask制作,但是这一道Mask与普通Mask不同,它能对不同位置的光刻胶施加不同程度的曝光量。这种Mask有两种,一种是半色调掩膜板(Half- Tone Mask),另种是灰色调掩膜板(Gray- Tone Mask)。
4Mask工艺的主要步骤如下：
第一道光刻工艺:连续沉积非晶硅半导体层和源漏金属层,其中非晶硅层采用CVD沉积,而金属层采用PVD成膜。
第二道光刻工艺:涂布光刻胶。
第三道光刻工艺:对不需要金属的区域的源漏金属区的光刻胶进行曝光(不同的眼光量)、显影、刻蚀。金属采用湿刻，而非晶硅采用干刻。
第四道光刻工艺：对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金属，再进行金属湿刻以及N+Si干刻，并剥离光刻胶。
4Mask与5Mask对比
4Mask与5Mask相比较,主要是减掉了一道Mask制作以及相应的光刻胶涂布、曝光机显影工艺,节省了制作成本。
目前,4Mask工艺也存在着工艺要求较高、良率较低的问题,其大规模推广还需要解决很多的问题。
4Mask与5Mask工艺对比—检查与修复
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