日本一顶尖科技曝光，远远领先于其它地球国家的最顶级科技

大家知道，主动相控阵雷达的最关键技术就在于一个个T/R收发组件。事实上，AESA雷达就是数千个收发组件单元组建成一台整的雷达。而T/R组件就是由少则一个，多则4个MMIC半导体晶片材料封装而成。这个晶片是将雷达的电磁波收发组件整合起来的一个微型电路，既负责电磁波的发出，也负责接收。而这个晶片就是在整个半导体晶元上蚀刻齣电路来的。所以，这个半导体晶圆的晶体生长是整个AESA雷达最关键的技术部分。

这就是F-35的诺斯罗普.格鲁曼公司的APG81雷达的MMIC晶片，APG81雷达由数千个一模一样的这样的MMIC晶片集成。这个晶片是以GaAs为基体蚀刻构筑的。但是事实上，GaAs材料因为其禁带过窄，其击穿电压过低，其发射功率是上不去的。所以，迫切需要新一代宽禁带的半导体材料。而这个材料目前已经找到了，就是GaN材料。而GaN材料的晶体生长是非常困难的，目前也是日本率先攻克了GaN薄膜的大规模製造工艺。

目前，絶大部分GaN基LED均採用价格相对低廉的蓝宝石为衬底材料製备。然而，蓝宝石衬底与GaN材料有高达17%的晶格失配度，如此大的晶格失配造成了很高的位错密度，导致GaN LED中的非辐射复合中心增多，限制了其内量子效率的进一步提升。SiC衬底与GaN材料的晶格适配度只有3%，远小于蓝宝石衬底与GaN材料间的晶格适配度，因此在SiC衬底上外延生长的GaN材料的位错密度会更少，晶体质量会更高，同时SiC的热导率(4.2W/cm.K)远大于蓝宝石，有利于器件在大电流下工作。但是SiC衬底的製备难度较高，外延生长GaN的成核也具有一定难度。

日前LED上游大厂美国Cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可製造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicenses)。据了解，三菱化学光电事业部门总经理Yasuji Kobashi在声明中指出，上述授权合约可望帮助该公司在光电産品领域中拓展氮化镓基板业务。事实上，在这个伟大的技术革新面前，传统的材料学和发动机技术的欧洲顶尖水平公司RR已经选择了屈服。英国罗罗大批进口日本的单晶材料用于製造自己的Trent系列发动机。