分享至
（原标题：明年新iPhone可能采用三星NAND闪存芯片 上一次是5年前）
摘要：原本在2012年苹果推iPhone 5的时候，苹果没有再选择三星作为NAND闪存芯片供应商，根据ETNews的最新报道，终于在2017年，苹果又打算采用三星的NAND闪存芯片了，中 间隔了有5年之久。先前之所以没有继续合作，原因在于苹果之前提出通过在存储封装上采用改变封装或者特殊涂料的方式来做电磁干扰屏蔽，而三星不愿意这么做。这次的报道和先前的报道相符，ETNews提到，苹果之前由于性能和电磁干扰问题的原因，期望在设备内部独立屏蔽可覆盖更多部分。早前的报道中提到，做出这种变化的主要原因在于，如3D Touch、各种高速接口等多种不同系统的采用，都会造成电磁干扰，以及受到电磁干扰的影响。独立屏蔽就能免除掉那些金属屏蔽组件了，这样也就能够节省主板空间，让设备内部空间更大，可放置更多组件。
而最新的这则报道则提到，三星所用的BGA（ball grid array，球栅阵列）封装，相比竞品用的LGA（land grid array，平面网格阵列）封装，存在劣势，LGA封装接触可令封装和印刷电路板齐平。
三星现有的溅射（sputter coat）电磁干扰屏蔽技术并不能满足苹果的要求，就是上面谈到的BGA contact的原因。不过最新的一种喷涂技术出现了，这种技术成本更低，可能是三星和苹果在NAND闪存芯片问题上改变关系的原因，而且三星似乎对于自己的闪存市场也存在担忧。
三星当前仍然是NAND型存储解决方案的领导者，3D V-NAND的256Gb闪存芯片存储密度实现翻倍增长，单芯片支持存储容量就有256Gb。这类技术可能会影响到苹果的iPhone和iPad产品，也有可能让三星在Mac产品线上施展拳脚的机会。最近还有新闻说，三星可能会为未来的iPhone提供OLED面板，所以说三星和苹果现如今的关系似乎是越来越紧密了。
本文来源：cnbeta网站
责任编辑：
王晓易_NE0011
