国产功率半导体弯道超车，华微电子引领发展新趋势

（原标题：国产功率半导体弯道超车，华微电子引领发展新趋势）

功率半导体是电力转换的重要器件，被广泛的应用于光伏逆变器、变频家电、消费电子等领域。而且随着社会的发展，功率半导体器件需求量持续飙升，国产替代呼声日益高涨，在市场的带动下，我国功率半导体器件有望弯道超车，接下来华微电子将积极布局中高端领域，引领行业快速发展。

在过去的两年，受益于整个半导体行业宏观政策利好，资本市场追捧，地方积极推进，企业广泛进入等因素，第三代半导体产业稳步发展，涌现了第三代半导体材料投资热潮。

不过第三代半导体并非是在第一代、第二代半导体的技术上进行一种简单的迭代，而是一个全新的技术架构。

在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。

最大的瓶颈就是原材料。华微电子表示：我国原材料的质量、制备问题亟待破解，另外相关材料制备的关键设备依赖进口；SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外对比水平还有差距；其应用技术的研究比较关键，若相关配套技术及产品跟不上，第三代半导体的材料及器件的作用和效率可能会发挥不好。

作为首家国内功率半导体器件领域上市公司，华微电子坚持生产一代、储备一代、研发一代的技术开发阿战略，早已积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造。

目前SiC产品已经提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。华微电子表示：下一步，将进一步发挥公司的IDM模式的优势，集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术，完善相关生产线开发和制造能力，为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的第三代半导体电力电子器件。

为扩大公司生产线，2019年，华微电子以每股3.90元价格公开发行2.1亿股，募集资金总额9.3亿元，用于新型电力电子器件基地项目投资。

华微电子介绍，新型电力电子器件基地项目建成以后能够有力地补充公司的产品种类和提升产品性能。二期项目规划的产品主要是中低压MOSFET、IGBT和超结MOSFET产品，应用市场是电池保护、电动工具、基站电源、工业控制、充电桩和汽车电子，在这些领域华微电子产品技术储备完善，建成后可以快速发挥IDM模式的优势，快速提升产品线的盈利能力。在当前国产替代趋势的环境下，有望快速突破高端领域。