国家存储器基地项目一期封顶，中国造“大存储”芯片将在武汉产生

（原标题：国家存储器基地项目一期封顶，中国造“大存储”芯片将在武汉产生）

封顶现场图 记者胡九思 摄

长江日报融媒体9月28日讯（记者肖娟 李佳 邵澜 通讯员张姗妮 刘刚建）9月28日，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房在武汉东湖高新区成功封顶，比预定时间提前一个月。这标志着该项目建设工程取得了重要阶段性成果，为确保国家存储器基地项目（一期）如期完成奠定坚实基础。

“一号生产动力厂房能提前封顶，需感谢湖北省、武汉市对项目的关心、支持和推动”，紫光集团董事长、长江存储公司董事长赵伟国在封顶仪式上致辞表示，位于武汉的国家存储器基地是中国第一个大规模生产存储芯片的基地，在中国科技领域，是在打造存储器的“航空母舰”。

他透露，明年将进行中小规模的试产和量产，争取在2019年进行大规模的生产，填补中国在存储产业领域的空白。“这不仅关系到信息安全，也关系到产业安全”，赵伟国说，在一些关键的集成电路领域，我们必须拥有一定的自主供应能力，否则一旦国际形势产生变化，就会导致信息产业崩塌。他表示，国家存储器基地建设，对于中国信息、互联网产业乃至整个电子工业发展，不仅解决现实问题，更将对全球产业局势起到一个平衡作用。

“企业要积极采取各种办法，把研发、生产做好”，赵伟国说，打造国家存储器基地“只有结果没有过程”，通过努力，中国集成电路产业会强大起来，“既然已经选择了，就咬定青山不放松”。

国家存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，由紫光控股、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，计划5年内总投资240亿美元，约1600亿人民币。

长江日报记者在现场了解到，国家存储器基地项目主厂区占地约1717亩，生活配套用地251亩。主厂区主要包括3栋生产厂房、研发办公大楼以及生产配套等设施，项目于2016年12月1日桩基进场施工，2016年12月30日正式开工。此次提前封顶的一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万平方米，预计2018年投入使用。项目（一期）总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

目前，东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区和1500亩国际社区用地，正在加快引进产业链顶级配套企业和国际化人才；并加快建设武汉国际微电子学院，组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

资料图，来源网络

“没有地方政府的大力支持，这个项目是不可能如此快速地启动和进入的。”28日，站在国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房前，国家存储器基地项目实施主体公司——长江存储科技有限责任公司总裁、执行长杨士宁接受长江日报记者专访，评价武汉的支持“一流”。

用3年赶别人6年走过的路

距世界前沿最近的产品将在武汉诞生

“存储器就像一个保险箱，而我们现在把自己的钱放在别人的保险箱里”，杨士宁说，存储芯片占整个芯片市场的1/3，另外是计算芯片和通讯、感知芯片，“我国发展通讯芯片有一定基础，而国内大规模存储芯片的自产率，是零”。

没有自己生产的存储器芯片，影响的是13亿国人。他举了个例子：“如果手机里的存储芯片全都是进口，如果国际上出现贸易封锁，手机厂商拿不到进口的存储芯片，手机就停产了，所有人都不能换手机了”。

他介绍，国家存储器瞄准的目标，是实现国家工业粮食自主供应，而且，研发目标直指世界最前沿的技术，“到现在为止，我国生产的很多芯片，离世界前沿差距比较大，差距在2到3代技术左右”。

长江存储正在研发并按计划量产的三维闪存（3D NAND），如果能实现计划，跟世界前沿的差距一定是在两代之内，会立刻成为全中国工艺、技术水平离世界前沿最近的一个产品，对中国来说是一个划时代的事情，杨士宁说，“我们现在是用3年时间，追赶别人6年走过的路”。

杨士宁表示，在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产存储器芯片产品，“满产后能供应国内存储芯片需求50%以上，国人将感受自己创造的 大存储 ，手机里可放得下几百首歌、几千张照片”。

据悉，今年，长江存储已经完成32层堆栈的3D NAND闪存研发，更先进的64层堆栈产品也在同步开发，2019年有望量产，2020年技术达到国际领先的存储芯片供应商水平。

全球单体洁净室最大的集成电路厂房在汉建造

武汉将成为集成电路产出最高的城市

“这里建造的厂房，可以进入全世界前三的水平”，杨士宁介绍，在武汉建设的国家存储器基地，要建造全球单体洁净室面积最大的3D NAND Flash新厂。据悉，按照计划，今年第四季度将开始洁净室安装。

据了解，不论外界空气条件如何变化，洁净室内均能维持原设定的洁净度、温度及压力等性能，以满足使用需求。集成电路由于技术的复杂程度与日俱增，对于空气洁净度的要求也越来越高，核心工艺区需保持1-4级的洁净度。可以说，洁净室直接决定了集成电路制造最终产品的成败，如果生产过程中洁净程度达不到要求，产品良品率会受到很大影响。

“芯片制造的带动效应，是1：10的比例，而作为我国最大的集成电路单体投资项目，因此放大效应将更大”，杨士宁说，项目对武汉集成电路产业的带动效应也显而易见。

杨士宁透露，从区域分布来看，武汉是国家集成电路产业基金投入最大的中部城市，这是对武汉的极大认可，“未来可以给武汉带来更多就业机会，武汉将很快成为集成电路产出最高的城市”。

国家存储器基地效果图 记者任勇 摄

国家存储器基地项目，得到了国家、省、市各级政府的高度重视。项目所在的武汉东湖高新区，专门成立存储器基地项目推进工作领导小组，下设运营发展、规划建设两个工作专班，“一把手”负责，分管领导靠前指挥，全职联络员现场办公。

28日，东湖高新区管委会城建工作协管领导、未来办副主任、国家存储器基地项目服务专班负责人明铭介绍，最初国家存储器基地项目所在的这片区域，多家企业、民房需拆迁，2条5公里长、80米宽的输油管和环城高压输气管需改迁，众多池塘需清淤。

同时，项目投资较大，建设要求标准较高，建设周期紧迫，该项目作为“一号工作”，实行“随叫随到、随报随签”机制，领导每周都调度，工作专班“一日一调度、一日一通报、一日一督办”。

在政府的给力支持下——

短短70天时间内，迁移迁改输油输气管线10公里，确保国家存储器基地项目建设未受到影响；

3个月内，完成用地规划许可、能评、安评、环评、土地招拍挂等建设前期各项审批手续，取得不动产登记证和施工许可证；

5个月，一号生产厂房土建工程完成封顶；

仅用180天，从第一根钢梁吊装到一期主厂房封顶。

基地项目周边的未来二路、未来三路、长芯路等已具备通车条件。

明铭介绍，据推进“四谷一港”建设的总体要求，东湖高新区将以该项目为龙头，打造“芯片-显示-智能终端”万亿产业集群。为此，东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设配套产业园区，正在加快引进产业链顶级配套企业；并加快建设武汉国际微电子学院，组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

责编：汉网

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