（原标题：GlobalFoundries在FD-SOI路线图中加入了12纳米节点）
当前，GlobalFoundries在使用14nm FinFET工艺为AMD代工“北极星”（Polaris）架构的GPU，但这只是该工厂在使用的多种制程之一。此外，GlobalFoundries也在努力整合22nm平面晶体管和全耗尽型硅绝缘工艺（FD-SOI），其自称为“22FDX”。GlobalFoundries表示，22FDX非常适合于那些想要在高性能和低成本低功耗间取得平衡的设备，尤其是需要在单芯片上整合RF、模拟、内存和逻辑设备的产品。
显然，22FDX已经取得了很大的成功，以至于FloFo于今日宣布要为FD-SOI路线图加入一个新的节点——12nm FD-SOI（或称12FDX）。
GloFo称，12FDX能带来10-nm FinFET晶体管的性能、更好的能耗表现、以及比16-nm FinFET更低的成本。
它还强调，12FDX是一个完整的节点缩减，较今时的FinFET技术提升了15%的性能，以及低至50%的能源消耗。
该公司准备在德国德累斯顿的Fab 1工厂生产12-nm FD-SOI晶体管，预计采用新工艺的处理器会在2019年上半年面世。
How to optimize power and performance
with 22FDX Platform body-biasing
[编译自：TechReport , 来源：GlobalFoundries]
活动入口:
微软中国官方商城 - 教师节感恩套餐限时活动已开启 最高立省?1097！
(原标题：GlobalFoundries在FD-SOI路线图中加入了12纳米节点)
本文来源：cnbeta网站
责任编辑：
王晓易_NE0011
