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台湾《经济日报》1月6日报道称，三星电子计划今年投入17万亿韩元（1元人民币约合167韩元），扩充位于韩国平泽和大陆西安两处工厂的芯片设施。该报援引韩国《电子时报》的报道称，三星电子规划扩建这两处设施，让NAND闪存芯片产量增为6.5万个，DRAM内存产量增为5万个。
报道称，自2018年下半年以来，由于芯片市场恶化，三星不是延后设备投资，就是采取较保守立场。如今三星在芯片生产方面开始有所动作，分析认为，原因是芯片价格已经回稳。
三星发力芯片市场的动作不止于此。台湾《经济日报》还援引韩国媒体《Business Korea》的报道称，三星电子已经运用极紫外光刻（EUV）技术开始量产6纳米半导体。报道强调，三星在开始量产7纳米产品后，只花8个月时间就推出6纳米产品，以这样的进步速度，三星可望缩小与台积电的技术落差。台积电目前是全球第一大晶圆代工公司。
报道称，量产6纳米芯片是在去年12月开始，生产线位于三星华城工厂。《Business Korea》还引述一家三星伙伴公司未具名人员的话说：“6纳米产品要交货给位于北美的大型公司客户。”韩国半导体产业观察家认为，三星的6纳米产品买家是高通。
《Business Korea》说，三星量产6纳米芯片对台积电带来压力。根据调查公司集邦科技去年第四季的数据，台积电在全球晶圆代工市场占有率为52.7%，三星只有17.8%。
报道称，实现6纳米产品量产之后，三星计划今年上半年再推进到5纳米。今年上半年三星还有运用GAA技术（Gate-all-around环绕栅极）生产3纳米芯片的规划。
本文来源：参考消息
责任编辑：
段嘉祺_NT7312
