（原标题：镁光2017产品规划：制程推进、GDDR6和64层3D NAND Flash）
在Micron 2017年度的分析师会议上，这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布，但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向，同时也包含下一代GPU用记忆体的规划。
2016年，Micron与Intel的合资企业成为第二家供应3D NAND Flash的公司。当时32层的第一代3D NAND Flash已经在不少产品上导入，现在开始进入64层3D NAND Flash。然而，现阶段64层3D NAND Flash在采样阶段，预计要到2017年才会进入大量生产阶段。
512Gb的64层3D TLC NAND Flash是Micron的重点之一，但Micron也会提供256Gb的3D TLC NAND Flash。
有趣的是，256Gb TLC NAND Flash的尺寸为59mm ，或者是4.3 Gb /mm ;相比于其他竞争品牌的64层3D NAND Flash，面积要小了25％左右。
此外，Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入，但他们没有对此揭露太多资讯。
记忆体部分，主要是GPU用的GDDR6以及制程的推进。
Micron预期会在2017年开始使用16nm（1Xnm）生产GDDR5记忆体，但确认时间不详，另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中，其中1Ynm会率先导入，时间点在2017下半年。 SK Hynix在HBM记忆体的布局，Micron似乎没有任何回应，但这家公司在GDDR5X与GDDR6有着相当深的投入。
预计我们可以在2017年底或是2018年初见见到Micron在GDDR6领域的讯息。
3D XPoint部分也相当低调，没有任何新资讯或是产品揭露。
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本文来源：cnbeta网站
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王晓易_NE0011
