（原标题：高通骁龙835处理器规格大起底:八核10nm芯片）
日前高通官方在Twitter上放出宣传海报，表示将在CES 2017展会上公布新款骁龙835处理器的更多细节，以及与Lionsgate合作展示骁龙835处理器提供支持的《超凡战队》VR体验。现在，骁龙835处理器规格参数完全浮出水面。
高通骁龙835处理器规格大起底：八核10nm芯片
据外媒报道，除了基于三星10nm FinFET工艺打造外，高通骁龙835处理器还将采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计，大小核均为Kryo架构。
高通骁龙835处理器规格大起底：八核10nm芯片
同时，高通骁龙835处理器还采用了Adreno 540 GPU，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，也整合了Cat.16基带，同时支持Quick Charge 4.0快速充电技术。
高通骁龙835处理器规格大起底：八核10nm芯片
现有消息显示，骁龙835处理器目前已经开始进行生产，并将于2017年上半年正式出货，三星Galaxy S8、LG G6以及小米手机6均将有望搭载高通骁龙835处理器，但目前尚未确定骁龙835处理器的首秀机型。
高通骁龙835处理器规格大起底：八核10nm芯片
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