万亿存储大厂，净利润暴涨216%！内存已卖到2029年

芯东西（公众号：aichip001）
作者 崔嫄伟
编辑 陈骏达

芯东西10月28日报道，今日，SK海力士发布2026年第三季度财报。该公司第三季度实现营收约104.62万亿韩元（约合人民币5206.5亿元），首次单季营收突破100万亿韩元，环比增长32%，同比增长328%。

此外，其营业利润为83.33万亿韩元（约合人民币4147.0亿元），环比增长38%，同比增长632%；净利润为39.78万亿韩元（约合人民币1979.7亿元），净利率38%，同比增长216%。

其第三季度毛利达89.65万亿韩元（约合人民币4461.5亿元），毛利率为86%，环比提升3个百分点、较去年同期的57%大幅走高。

SK海力士称，本季度营收与营业利润创历史新高，受益于AI内存需求拉动产品涨价及高附加值产品出货。

该公司总裁兼CEO郭鲁正提到，基于已经敲定的长期供货协议（LTA）订单加当前和客户正在磋商的需求，未来三年直至2029年，DRAM以及HBM产能实际上已经近乎售罄。

SK海力士判断受先进制程技术难度大、新建产线周期长制约，存储器需求超过供给的格局将持续到2030年；第四季度HBM4在出货量与收入上预计将超过HBM3E，成为主流产品；2027年资本开支将较2026年显著增加，龙仁一期产线将进入全面运营。

截至昨日收盘，SK海力士股价为145.36美元/股（约合人民币969.3元元/股），较昨收价142.62美元/股（约合人民币951.1元/股）上涨1.92%，总市值约为1.03万亿美元（约合人民币6.9万亿元）。

一、DRAM占收入超70%，年内股东回报约100万亿韩元

SK海力士核心业务为DRAM与NAND闪存两大类。

按产品划分，该公司第三季度DRAM业务带来约78.5万亿韩元（约合人民币3904.9亿元）收入，贡献总营收的75%；NAND业务收入为25.1万亿韩元（约合人民币1249.6亿元），占收入的24%；其他占1%。

按应用端划分，SK海力士DRAM收入中服务器与含HBM的图形业务占比逐季提升；PC、消费与移动业务占比相应收窄，反映AI服务器需求对DRAM收入结构的持续拉动。

NAND端，其SSD收入占比从2025年三季度至2026年三季度逐年上升，移动与U盘、存储卡类业务占比下降，企业级SSD成为NAND收入的主要来源。

SK海力士的业绩指引显示，其第四季度DRAM业务量环比有望增长20%左右，主要由1c制程扩张与M15X爬坡推动；NAND业务量环比增长中个位数（含Solidigm），由321层eSSD销售带动。该公司预计2027年DRAM可实现需求同比增长20%左右、NAND增长高十几个百分点。

截至第三季度末，SK海力士财务结构也趋于稳定，其现金及现金等价物114.46万亿韩元（约合人民币5696.2亿元），债务降至15.80万亿韩元（约合人民币786.3亿元），净负债权益比由一年前的24%降至5%。

股东回报方面，该公司2026财年股东回报总额约100万亿韩元（约合人民币4976.6亿元），其中现金分红30万亿韩元（约合人民币1493.0亿元）以上、回购并注销60万亿韩元（约合人民币2986.0亿元）以上，承诺返还50%以上自由现金流。

二、存储短缺持续到2030年，预计HBM4将成为主流产品

在电话会议上，SK海力士预计，AI使用普及与基础设施投资扩张已形成正向循环，全球AI数据中心基础设施市场到2030年将以40%的复合增速扩张，2027年全球头部云服务商资本开支同比增长60%以上。短期增长由企业级与个人AI驱动，中长期由自动驾驶、机器人等物理AI拓宽需求边界。

对此，该公司评估，目前其供应增长速度跟不上市场增长速度，鉴于尖端工艺的技术难度以及新建生产设施所需的时间较长，预计供不应求的局面将持续到2030年。

关于AI需求能否持续，郭鲁正给出两点判断：头部云厂商AI业务已兑现营收，云业务同比增速达30%-80%，未交付订单同比增长2-5倍；同时投资主体正从少数科技巨头扩展至传统企业自建、主权AI和本地部署需求，单一客户调整投资节奏可被其他领域对冲。

为进一步提高其产品竞争力，SK海力士计划加快扩大产能，以保持目前的增长势头，并在明年进一步扩大收入和利润。

首先，该公司计划迅速提高其10nm级第六代（1c）工艺技术的份额，并扩大面向AI服务器的DDR5和LPDDR5 SOCAMM的销售，从而进一步加强其以高附加值产品为中心的DRAM产品组合。

为应对HBM需求的激增，SK海力士计划在年底前将M15X生产线产能提升至满负荷，以提高HBM4的产量。因此，该公司预计HBM4在第四季度的出货量和收入都将超过HBM3E，并确立其主流产品的地位。

针对HBM4供货方面，在财报电话会议上HBM营销负责人金基泰披露，HBM4良率超原定目标，已上调良率目标，HBM3E也超出成熟良率目标。HBM4E样品已于今年第二季度交付，开发验证紧跟客户时间表。针对客户系统和工作负载做定制优化的定制HBM重要性持续提升，他们已与核心客户开展相关项目。

谈及下一代DRAM技术4F²，郭鲁正称，现阶段该公司充分挖掘6F²架构潜力，依托EUV光刻延长6F²平台生命周期。其同步研发4F²和3D DRAM，但需良率、可靠性和成本验证完成后才商业化。目前，该公司已准备分阶段技术路线，涵盖现有DRAM深度微缩、4F²和3D DRAM，待各项技术在性能和经济性上成熟后再落地。

在NAND闪存领域，该公司计划在第四季度将其321层工艺的产能占比提升至国内产能的一半以上，从而增加高性能、大容量eSSD的供应。中长期来看，该公司计划基于HBF和系统优化技术，将NAND闪存发展成为提升AI服务吞吐量和经济效益的核心解决方案。

针对KV cache带来的NAND新需求，SK海力士NAND营销负责人宋昌锡介绍，智能Agent和超长上下文场景使KV cache体量快速膨胀，HBM和DRAM面临容量和成本瓶颈，分层存储架构成为关键。该公司正在开发SALT-KV软件和基于CXL的CMM-Hybrid混合内存技术。中长期计划推出HBF产品，兼顾高带宽与NAND大容量低成本优势，填补HBM与SSD之间的新存储层级。

被问及产能扩大是否会有过剩风险，SK海力士CFO金宇铉称，新建工厂不等于供给同比例扩张，HBM等高端产品工艺复杂度上升，制程微缩带来的比特增量存在约束。龙仁产业集群等新工厂将加快厂房外壳建设，但洁净车间分多期逐步投用，保留灵活调节余地。投资决策同时核查客户财务健康度和融资能力，该公司保留净现金安全垫，需求不及预期时可灵活调整投资进度。

需求锁定方面，SK海力士披露，其已与14家关键客户（含全球头部云服务商）签订长期供货协议（LTA），标准合同期五年，并在与部分客户协商延期；合同价格在双方约定区间内反映市场行情，并设置定金等履约保障条款，锁定量对应2027至2028年总产能的50%以上。

同时该公司2027年资本开支将较2026年显著增加，投向先进制程组合、龙仁一期（Y1）产线爬坡，以及韩国本土与海外的基础设施投资；扩产规模与时点将在客户需求、产品竞争力、盈利性与投资效率之间灵活权衡。

对于此前SK海力士终止旗下企业级SSD子公司Solidigm IPO审查，郭鲁正回应，“此次IPO旨在为Solidigm的生产设施扩建筹集外部资金，从而减轻我们自身的投资负担，并扩大股东回报能力，然而，在仔细考虑了近期金融市场状况和其他因素后，我们认为此时推进IPO并非实现原先预期目标的最佳途径。因此，我们已终止IPO计划。”

结语：长期协议对冲周期，HBF切入AI存储架构

存储行业长期受困于“扩产即过剩”的周期波动。SK海力士当前的策略是通过长期协议（LTA）来对冲这一风险：用五年长约锁定2027至2028年超50%的产能并收取定金，同时将建厂进度与客户的财务健康度挂钩，加上极低的负债率，有效降低了重资产扩张在弱周期下的隐患。

在技术演进上，随着大模型长上下文的普及，AI服务器完全依靠HBM成本过高，而传统SSD速度不足。SK海力士正推进HBF与CXL混合内存技术，想要填补HBM与SSD之间的存储层级空白。通过提供这种高低搭配的存储方案，SK海力士正打破单纯出售标准存储硬件的边界，进一步深入到AI数据中心底层架构的设计与定义中。