北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善原子层沉积腔体工艺稳定性的方法及加热底座”的专利，公开号CN122979866A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善原子层沉积腔体工艺稳定性的方法及加热底座。该方法包括：提供包含多个独立控制的加热分盘的加热底座，加热分盘表面设有凸点；将基底传输至加热底座上方；分别调节加热分盘以改变凸点伸出加热底座表面的高度，使凸点与基底背面接触；在基底上进行薄膜沉积工艺。本发明通过采用可独立改变接触凸点高度的分块模块化加热底座，能够灵活精准地匹配实际热场分布，有效改善加热底座局部热传递效率不均匀的问题，从而显著提升薄膜沉积厚度的均匀性，并改善了原子层沉积腔体工艺的整体稳定性，同时减少了设备维护耗时。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2118次，专利信息2975条，此外企业还拥有行政许可555个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
