北京
国家知识产权局信息显示，厦门新镓能半导体科技有限公司申请一项名为“一种阶梯栅极结构的GaN HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122995194A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种阶梯栅极结构的GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底及依次层叠的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；设置于势垒层上的栅极结构，包括间隔设置的第一子栅极和第二子栅极，以及位于第一子栅极和第二子栅极之间的凹槽区域；所述第一子栅极和第二子栅极均包含设置于势垒层上的P型氮化镓层，所述凹槽区域下方的势垒层的厚度小于第一子栅极和第二子栅极下方的势垒层的厚度；以及氧氮化镓薄膜，共形覆盖于所述第一子栅极、所述第二子栅极的表面以及所述凹槽区域的表面，且所述氧氮化镓薄膜与所述P型氮化镓层之间具有连续过渡界面。本发明有利于优化栅极区域电场分布，提高器件耐压能力，增强器件稳定性及动态性能。
天眼查资料显示，厦门新镓能半导体科技有限公司，成立于2024年，位于厦门市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1075万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门新镓能半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息8条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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