北京
国家知识产权局信息显示，浙江六方半导体科技有限公司申请一项名为“一种CVD-SiC涂层Si熔体金属共污染接触腐蚀测试方法”的专利，公开号CN122982886A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种CVD‑SiC涂层Si熔体金属共污染接触腐蚀测试方法，包括以下步骤：在CVD‑SiC涂层试样的表面设置Si源材料和金属污染源材料；对所述CVD‑SiC涂层试样进行加热腐蚀，使Si源材料形成Si熔体，金属污染源材料和所述Si熔体共同与CVD‑SiC涂层发生接触腐蚀；冷却后去除凝固Si层，对CVD‑SiC涂层进行表面和截面失效检测，获得CVD‑SiC涂层在Si熔属共污染条件下的耐腐蚀能力。本发明在样片阶段即将Si源材料、金属污染源材料和CVD‑SiC涂层试样构建为局部接触腐蚀单元，在惰性、真空或还原高温环境下使Si源形成熔体或半熔融接触层，从而在短周期内定向复现硅拉晶场景中最具破坏性的涂层失效组合，定向模拟CVD‑SiC涂层在硅拉晶场景下的极限失效过程。
天眼查资料显示，浙江六方半导体科技有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1729.967059万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江六方半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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