北京
国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司、扬州乾照光电有限公司申请一项名为“红光LED外延结构及其制作方法、LED芯片”的专利，公开号CN122995356A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种红光LED外延结构及其制作方法、一种LED芯片，该外延结构包括：层叠设置的衬底、N型层、有源层和P型层，其中，所述P型层包括P型限制层，所述P型限制层为AlGaInP层，包括：至少两层子P型限制层，所述至少两层子P型限制层中各子P型限制层相对所述有源层的禁带宽度差值沿远离所述有源层方向递增，且相邻子P型限制层的禁带宽度之间的差值在0.115eV~0.228eV范围内，包括端点值，以通过设置P型限制层采用阶梯式禁带宽度递增结构构建陡峭的能带突变，有效反射热载流子，抑制载流子从有源区向P型层的热泄漏，从而改善LED在高温（如85℃及以上）环境下的发光效率。
天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可3个。
扬州乾照光电有限公司，成立于2009年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58200万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州乾照光电有限公司参与招投标项目15次，专利信息350条，此外企业还拥有行政许可113个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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