北京
国家知识产权局信息显示，上海御光新材料科技股份有限公司申请一项名为“一种闪烁晶体低温生长方法、大面积厚膜闪烁晶体及应用”的专利，公开号CN122980004A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种闪烁晶体低温生长方法、大面积厚膜闪烁晶体及应用，涉及闪烁晶体生长技术领域，所述闪烁晶体低温生长方法采用低温引晶、浮动面蒸发工艺，结合高精度温度调控系统，包括S1：基板预处理、S2：低温引晶、S3：浮动面蒸发生长、S4：晶柱调控和S5：后处理五个步骤；在大面积基板上实现闪烁晶体均匀生长，生长温度降低300‑500℃，能耗低；所制备的厚膜闪烁晶体晶柱直径3‑5μm，生长方向与基板夹角≥88°，量子探测效率达80%以上，可应用于数字X射线光电探测器、大面积成像系统等领域，适合大规模产业化生产。
天眼查资料显示，上海御光新材料科技股份有限公司，成立于2010年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海御光新材料科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可8个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
