北京
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构、半导体结构的制备方法及其存储器”的专利，公开号CN122995131A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及其存储器，至少可以包括：基底；晶体管形成在基底内；电容结构，与晶体管电连接，电容结构包括填充层；第一处理层位于填充层顶部；第一功能层位于第一处理层内；第二功能层，至少部分位于第一处理层内，第二功能层位于第一功能层下方；第一金属层与第一功能层欧姆接触。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1089次，财产线索方面有商标信息332条，专利信息728条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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