北京
国家知识产权局信息显示，浙江多面体新材料有限公司申请一项名为“一种基于排胶过程中调控气氛减少氮化硅基板黑点缺陷的方法”的专利，公开号CN122977853A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于排胶过程中调控气氛减少氮化硅基板黑点缺陷的方法，属于先进陶瓷基板制造技术领域。该方法包括：将氮化硅基板素坯件置于排胶炉中；在排胶过程中向排胶炉内通入包含水蒸气、氨气的气氛，水蒸气用于促进有机基团裂解产物的氧化挥发，氨气用于对残余碳化区域进行氮化改性；排胶完成后进行烧结处理。本发明通过在排胶过程中引入水蒸气、氨气调控气氛，有效减少了氮化硅基板表面的黑点缺陷，提高了基板外观一致性和可靠性，适用于高可靠性IGBT功率模块封装基板的制备。
天眼查资料显示，浙江多面体新材料有限公司，成立于2020年，位于湖州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江多面体新材料有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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