广东
长鑫科技最近刚开完发布会，自研4F²架构加垂直环绕栅（VSG）晶体管，年底就要上服务器DDR5 RDIMM。与此同时，三星CTO被记者问到“你们搞不搞4F²”，干脆利落一个“是”；唯独美光CTO在接受《日经亚洲》采访时放话：这技术我们研究了20多年，结论是不在路线图上。
三个巨头，两种态度。4F²到底是“真香”还是“伪命题”？美光为什么偏偏看不上？
先搞懂4F²是什么。内存的密度提升，几十年靠的都是“把单元做小”，可这条路已经逼近物理极限，再先进的设备也抠不出多少面积了。业界公认的下一站是改变单元形状：把主流的6F²从3F×2F长方形，换成4F²的2F×2F正方形，单元面积理论上直接缩小约33%。面积小了，同样一片晶圆就能切出更多裸片。
三星在ISSCC 2026上的论文显示，4F²加混合键合的方案，同设计规则下单片晶圆裸片数能提升20%以上；TrendForce等机构测算，密度增益在30%到50%。说白了，这就是内存圈“户型改造”，同样一块地皮，硬是能多盖出几套房。
有人可能觉得，美光跳过4F²直奔3D DRAM，是弯道超车。但业界的普遍共识恰恰相反：6F²→4F²→3D DRAM是一条连续的路，4F²被普遍视为平面微缩的最后一站，也是通往3D DRAM的必经台阶。原因就是：3D DRAM本质上是把垂直沟道晶体管（各家叫法不同，三星叫VCT、SK海力士叫VG、长鑫叫VSG）、存储阵列与外围电路分离（PUC）、晶圆级混合键合这几样底座堆起来，而这几样关键技术，恰恰要在4F²阶段先打牢，业内公认6F²难以直接堆叠。三星4F²+VCT连打10a、10b、10c三代，到10d才转向3D堆叠；SK海力士CTO在2025年VLSI上，也是把4F²垂直栅平台和3D DRAM并列为两大支柱一起提。跳过4F²直接做3D DRAM，听着像捷径，实则像跳过打地基直接盖楼。
再看各家动作，你会发现4F²根本不是新概念，而是被研究了很多年的老方向，只是今年集中从研发走向了产品。三星早在2010年代前后就展示过原型，2025年底IEDM发了氧化物沟道方案，2026年2月ISSCC发了能工作的16Gb 4F²芯片，韩媒报道其10a工艺已产出可工作裸片。SK海力士2025年6月由CTO亲自发布4F²垂直栅平台路线图，2026年3月专门成立VG技术开发组织。长鑫总裁曹堪宇更是公开说，公司2016年成立起就在啃这个方向，公开专利族超过300件，VSG晶体管主打垂直包围沟道，专治漏电和短沟道效应的老毛病。连美光自己都承认，4F²相关技术研究了约二十年。一个研究了20年的方向，因为自身路线取舍暂时不押注，和“这方向没价值”，是两个完全不同的命题。
那到底美光为什么说不？这里就有意思了。先是股价：美光自6月25日创下1213.56美元历史收盘高点后一路回落，10月中旬两个交易日跌约9%，较高点回撤25%到28%。可它的基本面偏偏处于历史最好水平：2026财年第四季度营收542.3亿美元、调整后每股收益33.42美元、毛利率约87%。
一边是史上最佳业绩，一边是股价暴跌，市场分析机构给出的原因里有一条很扎眼：中国厂商在服务器DRAM上的进展，重新点燃了定价与竞争担忧。巧的是，美光此前也玩过“先否定、再肯定”。2020到2021年，三星、SK海力士都在上EUV，美光却公开说没计划，理由是现有工艺够用、成本更优。结果呢？同一时期，它默默向ASML下了EUV订单预付款；2024年在日本广岛厂启动EUV试产，2025年量产，成了三大原厂里最晚导入EUV的一家。
所以，当美光CTO说4F²不在路线图上时，与其急着站队，不如说，判断一个技术有没有价值，别看它今天说“不做”，要看它背后到底押了什么、又在为什么补课。4F²是不是美光的菜，时间会给答案。但行业主流的棋盘上，三星、SK海力士、长鑫已经落了子，这一局，注定不会只有一家在玩。
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