北京
国家知识产权局信息显示，天通凯伟科技有限公司申请一项名为“一种低损耗高磁导率高耐压复合材料制备方法”的专利，公开号CN122991792A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种低损耗高磁导率高耐压复合材料制备方法，涉及软磁功能复合材料与电子元器件制备技术领域。该方法以非晶态软磁粉体为原料，采用“无机钝化和有机偶联”两步包覆工艺构建双层绝缘结构：第一步以磷酸或磷酸盐类钝化材料形成致密无机绝缘层，第二步以硅烷偶联剂形成有机修饰层；随后与有机硅树脂混合造粒，经温压成型后在400~480℃氮气氛围下进行低温晶化退火。本发明利用纳米晶成分非晶粉的晶化特性，在远低于铜铁共烧退火温度的条件下实现非晶相向纳米晶相转变，同时释放压制内应力，大幅提升磁导率并降低磁滞损耗；且退火温度不破坏双层绝缘包覆结构，使材料保持优异的绝缘耐压性能，抑制涡流损耗。
天眼查资料显示，天通凯伟科技有限公司，成立于2007年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，天通凯伟科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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