北京
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国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有堆叠式高侧场效应晶体管和堆叠式低侧场效应晶体管的半导体封装及其制造方法”的专利，公开号CN122995684A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种半导体封装，该封装包括一个引线框架、一个第一高侧FET、一个第一低侧FET、一个第一组金属夹、一个第二高侧FET、一个第二低侧FET、一个第二组金属夹以及一个模制封装体。一种半导体封装的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个引线框架；安装一个第一高侧FET和一个第一低侧FET；安装一个第一组金属夹；安装一个第二高侧FET和一个第二低侧FET；安装一个第二组金属夹；形成一个模制封装体；以及执行切割工艺。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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