北京
国家知识产权局信息显示，浙江富西光电制造有限公司申请一项名为“利用Smart Cut工艺制作Z-cut LNOI晶圆的方法和Z-cut LNOI晶圆”的专利，公开号CN122977312A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种利用SmartCut工艺制作Z‑cutLNOI晶圆的方法和Z‑cutLNOI晶圆。所述方法的注入离子限定为氦，并在SmartCut工艺基础上进一步优化热处理过程。通过步骤S2预热成核调控氦在离子损伤层的迁移、聚集以及微裂纹演化，降低局部提前贯通和应力集中的概率，利于后续裂纹稳定扩展。通过步骤S3气泡均匀化阶段调控氦气泡、注入损伤及微裂纹的演化，使裂纹沿离子损伤层连续传播，提高剥离完整性，界面平整，薄膜均匀性。通过步骤S4可控剥离完成Z‑cut铌酸锂薄膜的剥离并形成Z‑cutLNOI晶圆。本发明通过低压环境、缓慢升温、分阶段热平台，能够降低局部应力突变，降低晶圆炸裂、边缘缺损、局部缺膜等问题，适用于大尺寸晶圆，有利于提高Z‑cutLNOI晶圆制备的工艺重复性和良率。
天眼查资料显示，浙江富西光电制造有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江富西光电制造有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息8条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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