北京
分享至
IT时代网10月27日消息，台积电A14节点的6T SRAM单元面积预计缩小至0.017平方微米。自2020年N5工艺量产以来，这一数值长期停留在约0.021平方微米，逻辑单元的晶体管密度持续提升，存储单元却迟迟没有同步进步。A14将把SRAM单元面积压缩约百分之十九，结束这一停滞局面。
按当前进度，A14正处于试产阶段，用于验证该节点的量产可行性并让客户评估设计表现。若试产顺利、良率与生产环节不出现重大问题，风险量产将在2027年启动，2028年进入大规模量产；若明年没有明显阻碍，排期还有望提前数月。
与已宣布量产的N2节点相比，A14在相同功耗下速度最高提升一成五，同频条件下功耗最多降低三成，逻辑密度提升两成，SRAM密度提升约一成九。该节点将率先在台积电台湾总部所在地投入量产。
编辑：林一舟
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
