北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司、华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深槽隔离RC-IGBT制造方法及其制造方法”的专利，公开号CN122970940A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种深槽隔离RC‑IGBT，包括芯片本体，所述芯片本体正面设有深槽隔离结构，所述深槽隔离结构将芯片本体隔离为相互独立的IGBT区域与FRD区域，仅共用终端结构。本发明通过在RC‑IGBT芯片正面制作深度大于背面减薄厚度的深槽隔离结构，将集成的IGBT与FRD物理隔离为两个独立区域，仅共用终端结构；背面仅在DTI单侧注入N+，实现两区域完全电气隔离，阻断IGBT与FRD之间的相互干扰路径。
天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目380次，专利信息322条，此外企业还拥有行政许可234个。
华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2954次，专利信息2256条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目953次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息8019条，此外企业还拥有行政许可444个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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