浙江
英特尔高层近日在公开访谈中表示，公司在先进制程技术方面与台积电之间的差距已经缩小至“仅几个百分点”，未来追赶行业领导者的最大挑战不再是技术本身，而是如何建立与竞争对手相匹配的制造规模和产能体系。
在Dwarkesh播客节目中，英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德指出，从纯粹的技术和性能角度来看，英特尔与台积电之间的距离已经相当有限。他认为，公司当前面临的核心问题是扩大先进工艺的生产规模，而这一过程将需要较长时间才能完成。换言之，决定竞争格局的不仅是制程节点本身，更在于谁能够以更大规模稳定、经济地生产先进芯片。
与此同时，英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯·奥斯则重点谈到了公司在高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术方面的布局。他表示，由于英特尔率先采用背面供电（Backside Power Delivery）技术，因此公司在利用High-NA EUV设备时具备独特优势。
High-NA EUV被普遍视为下一代芯片制造的关键技术。与现有EUV设备相比，其更高的数值孔径能够提升光刻分辨率，使芯片制造商有机会以更少的曝光步骤完成更精细的线路图形。这不仅有望降低制造复杂度，也能够减少生产成本。报道指出，该技术能够支持约8纳米至16纳米间距范围内的先进图形制造，为未来更高密度芯片设计提供支持。
克里斯·奥斯解释称，英特尔采用的背面供电架构将原本位于晶圆正面的供电网络转移至晶圆背面，从而释放出更多空间用于前侧晶体管和数据传输线路布局。这种设计有效减轻了前端线路间距压力，使芯片设计在光刻过程中拥有更宽松的容差空间。
按照他的说法，正因为具备背面供电技术，英特尔能够直接利用High-NA EUV完成相关图形制造。而台积电由于没有采用同样的供电架构，在部分设计上必须维持更紧密的线路间距，因此无法完全依靠High-NA EUV完成生产，仍需借助双重图形化EUV工艺来实现目标。
他进一步透露，英特尔下一代14A制程目前已经作为工艺设计工具包（PDK）中的可选方案向客户开放。对于是否采用这一工艺，公司将根据不同客户的需求展开单独讨论和合作。
业内认为，这番表态也进一步显示英特尔正在围绕14A节点积极推进High-NA EUV部署。此前市场曾传出High-NA EUV可能首先应用于18A制程，但从此次披露的信息来看，14A已成为英特尔重点规划的下一代先进工艺平台之一。
随着全球半导体产业竞争持续升温，英特尔正试图通过背面供电、高数值孔径EUV以及新一代14A工艺等技术组合重新建立竞争优势。尽管公司高层认为自身在技术层面已经接近台积电，但在先进制程规模化生产、客户生态以及产能扩张方面，英特尔仍面临长期而艰巨的挑战。
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