北京
美光把未来几年的内存与存储路线图摊开了。DDR6、LPDDR6、HBM、NAND 四条线同时推进，背景是 AI 基础设施的投入热潮还在把硬件成本往上推。
先看制程。美光把 1δ（1-Delta）节点定为 1γ（1-Gamma）之后的下一步，采用埃级工艺控制和 HKMG CMOS 结构。按官方说法，这个节点在制造先进 DRAM 产品时，位密度比上一代高出约 25%。
1δ 会支撑 DDR6 和 LPDDR6 这类下一代内存标准。其中 DDR6 的带宽超过 DDR5 的两倍。不过美光没有把 DDR6 定位成 DDR5 在客户端 PC 上的直接继任者，而是把它当作面向 AI 数据中心的高可靠服务器内存。
时间表上，1δ 预计 2027 年下半年进入量产，DDR6 的正式发布时间则尚未公布。
容量是另一条线。美光此前在 2026 年 9 月展示过一根 512GB、速率 9,200MT/s 的 DDR5 RDIMM。现在它表示下一代技术会做出面向高密度 AI 负载的 1TB RDIMM，并称量产后将是业界容量最高的 RDIMM。
LPDDR6 方面，美光称其能效比 LPDDR5 好 35%，在某些密度下提升更大。公司总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 表示，美光正与包括 Meta 在内的多方伙伴合作，把 LPDDR6 内存部署到 AI 数据中心。
架构选择上，美光明确未来内存产品走 6F² DRAM，而不是 4F²。给出的理由是成本、复杂度，以及电容间距限制会大幅削弱 4F² 的可扩展性。下一代 DRAM 产品还会用上晶圆键合和 High-NA EUV，之后再考虑转向更新的材料。
更远期的布局包括 3D DRAM，作为 6F² 之外的长期替代方案。同时美光在推“vHBM”，一种把内存直接堆在计算裸片上方的垂直堆叠设计，官方称这种设计能通过提升每瓦带宽来改善下一代 HBM 芯片的效率。
存储这边，G11 NAND 闪存的层数超过 400 层。对比 G9，新产品的目标是位密度翻倍、I/O 速度提升 1.5 倍、每次数据传输能耗降低 25% 以上。它同样计划在 2027 年下半年投产，正式发布日期还没定。
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