长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存 计划推进量产

中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正在将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM内存领域。据Counterpoint Research近期披露的信息，长江存储正在开发数据传输速率达到9600 MT/s的低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。这意味着，长江存储正尝试进入由三星、SK海力士、美光等企业长期主导的DRAM市场。

根据Counterpoint Research的报告，长江存储自2025年10月起，已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标数据传输速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆。不过，这一项目仍处于研发与测试阶段，报告并未表示该产品已经进入大规模商业生产。

在此基础上，长江存储还在开发速度更高的9600 MT/s版本。与前一代研发项目不同，新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构，并计划在第三座晶圆厂推进量产。需要注意的是，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已经完成验证或正式进入量产。

这项技术路线的关键，在于如何进一步缩小DRAM存储单元的占用面积。传统DRAM通常采用6F²存储单元布局，其中F代表工艺设计中的最小特征尺寸。4F²架构则试图通过垂直排列晶体管等结构，减少每个存储单元所占用的平面面积，从而提高单位芯片面积内能够集成的存储容量。

如果4F²架构能够在先进工艺下实现稳定制造，理论上就有机会提升DRAM芯片的集成密度，并为降低单位容量成本创造空间。不过，这种架构也面临晶体管结构、制造工艺、漏电控制、可靠性和良率等方面的挑战。即使实验室原型能够达到目标速度，也不意味着它已经具备大规模商业生产所需要的综合性能。

长江存储选择这一方向，与其现有技术积累有关。该公司以NAND闪存业务闻名，其Xtacking技术通过将存储阵列与外围电路分别制造，再进行键合整合，提高了闪存设计和制造的灵活性。Counterpoint Research认为，长江存储正在尝试将相关技术经验延伸到DRAM领域，但NAND与DRAM在存储单元结构、工作机制和制造要求上存在明显区别，不能简单认为闪存领域的成功可以直接复制到内存市场。

值得注意的是，长江存储并非唯一尝试4F²架构的中国存储厂商。另一家DRAM制造商长鑫存储（CXMT）也在探索这一技术路线，并计划在2026年底前推出基于4F²架构的DDR5注册双列直插内存模块。不过，该计划同样面临技术验证和量产可行性方面的不确定性。

国际存储巨头对4F²架构的前景则持谨慎态度。美光科技此前曾公开质疑这种存储单元结构在进一步微缩过程中存在根本性问题，认为其规模化应用仍有难以克服的技术障碍。这反映出当前DRAM行业对于下一代存储单元架构的技术路线尚未形成一致判断。长江存储和长鑫存储能否通过不同的工程设计解决这些问题，仍有待后续产品和制造数据验证。

与此同时，长江存储进军DRAM市场的时机也与全球存储行业的供需变化有关。人工智能数据中心快速扩张，带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长。三星、SK海力士和美光正将大量资源投入人工智能相关存储产品，普通电脑、智能手机所使用的内存也受到供应结构变化的影响。对于中国厂商而言，如果能够稳定推出性能合格、成本具有竞争力的DRAM产品，就有机会提高国产内存的市场份额。

不过，短期内仍不能高估这项研发计划对全球内存市场的影响。Counterpoint Research指出，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况以及第三座晶圆厂的量产执行情况，都是后续需要重点观察的指标。目前尚无足够公开信息证明该产品已经实现目标性能，也没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息。

此外，9600 MT/s只是数据传输速率指标之一，并不能单独决定内存产品的整体竞争力。对于LPDDR5X等低功耗内存而言，功耗、散热、稳定性、容量、封装方案、兼容性和成本同样重要。即使长江存储最终能够实现这一速度，也仍需要通过终端厂商的验证，才能进入智能手机、笔记本电脑或其他设备的供应链。

从更长远的角度看，长江存储正在尝试打破中国存储产业原有的业务分工。过去，长江存储的核心业务是NAND闪存，长鑫存储则主要发展DRAM内存。如今，两家公司都在探索对方所在的市场，未来的竞争可能不仅涉及产品速度和价格，还将延伸至制造工艺、存储单元架构、专利布局以及产能规模。

总体而言，长江存储开发9600 MT/s LPDDR内存并规划在第三座晶圆厂推进量产，显示其正在积极拓展DRAM业务。但这仍是一项需要经过技术验证和规模化制造考验的计划，而不是已经成熟上市的产品。未来真正决定其能否挑战国际存储巨头的，将是产品性能、制造良率、成本控制以及持续扩大产能的能力。