广东
随着行业推进到10nm以下级别的先进制程节点，DRAM扩展变得越来越复杂。除了运用到更为先进的EUV光刻机外，DRAM制造商还研究引入新结构、新技术、以及新材料，其中包括了4F²单元结构。相比于6F²单元结构，新结构能在相同芯片尺寸内将单元密度提升了30%至50%。此前长鑫存储（CXMT）已宣布，今年末将推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
近日美光（Micron）介绍了其下一代DRAM和NAND闪存产品的开发情况，未来将为其客户和企业提供相应的解决方案，同时推动人工智能的发展。其中备受关注的是，美光宣布终止4F²单元结构的DRAM开发，选择继续扩展6F²单元结构，同时将3D DRAM作为长期替代方案。
美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，4F² DRAM这一发展路径一直以来都是可选的解决方案，但是过去20年里，随着其复杂性和成本不断增加，经过评估后，最终选择放弃推进该项目。
第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM节点是美光首款采用EUV光刻技术打造的解决方案，现在已实现了量产。美光正在推动第七代10nm级别1δ（1-delta）DRAM节点的量产工作，已处于良品率爬坡阶段，预计带来25%的存储密度提升，另外打算在第八代10nm级别1ε（1-epsilon）DRAM节点引入晶圆键合技术。
与此同时，美光第一代亚10nm级别ζÅ DRAM节点已进入早期开发阶段，将导入High-NA EUV光刻技术，而第二代亚10nm级别ηÅ DRAM节点已经在路上，计划采用新的材料。
美光确认2028年在HBM5发布之际，还将带来两种新的DRAM，分别是vHBM和vEIM，三者将共存。其中vHBM整合了基础裸片、垂直堆叠DRAM、以及XPU芯片，类似于3D集成HBM；vEIM面向端侧AI推理应用，初代产品以实现2TB/s带宽和＜1pj / bit能效为目标。
美光还预告了G11 NAND技术，堆叠层数超过了400层，将采用晶圆键合技术，计划2027年下半年开始产能爬坡。与目前的G9 NAND技术相比，新技术的存储密度提升了一倍，同时I/O速率是之前的1.5倍，能耗可降低25%以上。
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