北京
国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“NAND闪存结构、其制备方法及电子设备”的专利，公开号CN122967720A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种NAND闪存结构、其制备方法及电子设备，NAND闪存结构包括：存储器单元区，包括偶存储串及奇存储串，偶存储串及奇存储串分别设置有偶数位线和奇数位线；偶选择晶体管和奇选择晶体管，集成于存储器单元区之内，分别用于控制偶数位线和奇数位线的导通状态；页缓冲区，通过偶选择晶体管及奇选择晶体管耦合到存储器单元区，以将数据信号编程到存储单元区中或从存储单元区中读取。本发明可以有效减少页缓冲区所需的高电压晶体管的数量，从而显著减少NAND闪存结构的整体布局面积。
天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2328858.310898万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可134个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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