北京
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美光刚公布的下一代全栈存储路线图，直接把DRAM行业藏了好几年的路线分歧，明明白白摆到了台面上。
美光CTO直接公开表态，自己团队研究4F²架构足足20年，没找到可靠的稳定微缩路径，硬推下去工艺复杂度和额外成本反而会吃掉密度提升的收益。
他们选择在成熟6F²路径上稳步迭代，靠1δ、1ε节点的密度提升叠加晶圆键合技术，直接切入3D DRAM赛道，目标2030年整体存储性能比2020年翻超10倍。
而长鑫早就悄悄攒了超300件4F²相关专利，自研的VSG垂直包围栅晶体管，完美解决了传统架构缩到物理极限后的漏电、短沟道痛点，年底就要推出搭载该架构的服务器级DDR5 RDIMM。
相当于在海外巨头都没啃下来的新赛道上，中国存储先跑通了量产闭环。
两边选的路都是基于自身技术积累的最优解，谈不上谁绝对踩错。
DDR6单条1TB的目标2027年就能率先在服务器市场落地，后面不管是走平面架构垂直堆单元，还是把存储逻辑和计算逻辑上下键合，最终拼的都是谁能先把成本打下来，跟上AI时代暴增的内存需求。
技术路径的分叉口，从来都是后进者换道超车的最好窗口。
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