北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SRAM测试方法和存储介质”的专利，公开号CN122967743A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SRAM测试方法和存储介质，方法包括：步骤一，在常压条件下向SRAM芯片写入测试数据；步骤二、在降压条件下读取SRAM芯片中写入的测试数据，获得第一读取结果；步骤三、根据第一读取结果判断是否发生失效，若发生失效，则标记为读失效；步骤四、在常压条件下再次读取SRAM芯片中写入的测试数据，获得第二读取结果；步骤五、根据第二读取结果判断是否发生失效，若发生失效，则标记为读反转失效，并结束测试。本发明将“读失效”与“读反转失效”两个独立测试流程整合为一次连续测试，显著缩短了测试时间、降低了测试成本，为SRAM芯片的失效分析提供了一种高效、可靠、低成本的测试解决方案。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2115次，专利信息2973条，此外企业还拥有行政许可552个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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