黄仁勋：2029年内存供应过剩可能性不大；SK海力士暂停Solidigm IPO计划；美光：押注6F²与3D DRAM

【每日热点速读】

1、英伟达黄仁勋：2029年内存供应过剩可能性不大

2、SK海力士暂停Solidigm赴美IPO计划

3、美光披露DRAM、HBM、NAND及SSD未来技术路线图

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英伟达黄仁勋：2029年内存供应过剩可能性不大

据外媒报道，英伟达CEO黄仁勋近日在受访时表示，他认为2029年前后内存市场出现供应过剩的可能性较低。

谈及内存需求的长期前景时，黄仁勋指出，内存的一大特点在于其使用量仍有持续增长的空间。“内存真正出色的一点在于，你永远可以用得更多。”英伟达未来仍将继续大量使用内存芯片。

在高带宽内存（HBM）方面，他表示该产品在未来数年内仍会被持续广泛采用；而针对低功耗内存（LPDDR），英伟达已率先将原本主要应用于手机的LPDDR引入数据中心，实现了能效提升一倍的性能表现，未来也会大规模持续使用。

背景：存储股因过剩担忧遭抛售

黄仁勋此番表态，正值全球存储相关股票近期出现明显回调。市场对未来需求放缓及新增产能集中释放的担忧，是影响投资者情绪的重要因素之一。

引发市场恐慌的导火索包括：韩国媒体专栏援引专家观点称，预计2029年前后半导体将出现“大量新增供应”，存储市场可能陷入“红海竞争”；特斯拉CEO马斯克也公开表示，中国到2028年将生产大量RAM，并提到中国具备扩大LPDDR5和LPDDR6产能的潜力；此外，长鑫存储近期公布新一代4F²存储单元架构进展，进一步加剧了投资者对供给端冲击的忧虑。

对中国企业：持开放态度

当被问及是否愿意采用长鑫存储的产品或与其合作时，黄仁勋回应称：“我们持开放态度。”他表示，英伟达正与中国企业合作，而全球供应链中几乎每家企业都在某个环节与中国公司有业务往来。

对于美国出口管制政策，黄仁勋评价称，这些管制措施客观上加速了中国半导体制造能力的内化，并推动其加大对本土产业的支持力度。

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SK海力士暂停Solidigm赴美IPO计划

SK海力士今日正式宣布，旗下美国子公司Solidigm已决定停止推进Pre-IPO融资及首次公开募股（IPO）计划。 自8月5日相关融资传闻首次披露，到10月23日公司宣布暂停评估，前后相隔79天。

官方表态：资本市场环境变化，增长逻辑未变

SK海力士表示，Solidigm此前一直在评估多种融资方案，以支持产能扩张并增强竞争力；但在全面审视近期资本市场状况与股价走势后，认为当前并非推进IPO的最佳时机，因此决定暂停相关评估。

SK海力士同时强调，这一决定并不改变对Solidigm增长潜力和投资必要性的判断。随着AI数据中心对企业级固态硬盘需求持续攀升，仅靠现有设施已难以满足增长，仍需在美建设新的生产基地。下一步，SK海力士将继续评估投资时机、规模及融资方式，以平衡Solidigm扩张与现有股东利益。

背景：曾被视为潜在的"美国最大芯片IPO"

Solidigm成立于2021年，源自SK海力士对英特尔NAND闪存及SSD业务的收购，主要面向企业级SSD市场，包括AI数据中心和云计算应用。 据韩国经济日报报道，Solidigm在SK海力士企业总价值中占比约12.9%。

此前市场消息称，Solidigm已选定高盛和摩根士丹利担任主承销商，计划最早于2027年登陆纳斯达克，估值最高或达1500亿美元，若交易最终按此前的较高预期完成，Solidigm有望成为美国规模最大的半导体IPO之一。

多重压力叠加：市场波动与监管阻力

此次IPO暂停并非单一因素所致。一方面，近期全球半导体板块出现明显回调，SanDisk股价已从去年6月高点下跌约40%，SK海力士自身股价也自6月高点累计下跌约58%，IPO估值预期受到压制。

监管方面，韩国金融监督院院长于10月19日公开表示，监管部门认为Solidigm赴美上市涉及母子公司重复上市规则。韩国金融监管机构也关注母公司对现有股东的保护义务及相关程序。

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美光披露DRAM、HBM、NAND及SSD未来技术路线图

美光近日举办2026年度技术网络研讨会。面对AI算力爆发带来的存储需求变革，美光在会上详细拆解了其在DRAM、泛HBM、NAND及SSD四大核心产品线的技术路线图。从放弃4F²架构到押注3D DRAM，从HBM4量产到vHBM存算一体构想，再到NAND闪存向400层以上进军，美光展示了其在后摩尔时代的技术布局。

一、DRAM：放弃4F²，坚定押注6F²与3D DRAM未来

在DRAM微缩路径的选择上，美光给出了明确的战略定调：下一代DRAM将继续沿用6F²架构，不会转向4F²。

美光技术团队解释称，公司对4F²架构的研究已超过20年，但评估认为该架构在沉积、刻蚀、套刻公差和浮体效应等方面制造复杂度过高，良率压力巨大。更关键的是，DRAM的位密度最终取决于电容节距，而非仅仅由互连节距决定，因此转向4F²的边际收益有限。

美光DRAM路线图如下：

1γ节点：已引入EUV光刻技术。

1δ节点：目前处于良率爬坡阶段，预计2027年下半年进入大规模量产爬坡期，位密度较1γ节点提升约20%以上。

1ε节点及以后：将引入晶圆键合技术，后续节点计划导入High-NA EUV并探索新材料。

长期演进：美光正在积极开发3D DRAM，认为其在长期扩展性和成本效益上比平面微缩更具确定性。

在产品规格上，DDR6与LPDDR6将基于1δ节点推进。其中，DDR6主要面向服务器市场，而LPDDR6则强调低功耗与能效提升。此外，这些新技术也将为HBM5、vHBM、vEIM等下一代产品提供底层支持。

二、泛HBM：从HBM4量产迈向vHBM与vEIM存算一体

针对AI算力核心——高带宽内存（HBM），美光确认HBM4已进入大规模量产阶段。目前主力量产的是36GB 12层版本，并已向客户送样48GB 16层版本。下一代HBM4E也已列入路线图，今年正陆续向关键客户送样。

美光提出了更具前瞻性的“泛HBM”概念，将未来产品分为三类：标准JEDEC HBM、定制HBM和垂直堆叠HBM。

定制HBM：将在Base Die中集成更多逻辑IP，支持与客户联合设计；从HBM4E开始，标准与定制HBM都将更多采用先进代工节点制造Base Die。

vHBM（垂直堆叠HBM）：将DRAM直接堆叠在计算芯片上方，大幅缩短存算路径。预计2028年前后出现，依赖混合键合与先进散热方案。

vEIM（垂直堆叠边缘智能内存）：结构类似vHBM，但专为边缘AI推理设计，初代目标带宽2TB/s，能效低于1pJ/bit。

美光同时提示，随着HBM层数增加及vHBM/vEIM的引入，相比标准DRAM，这些先进封装产品将消耗更多晶圆产能，晶圆-比特产出比将持续承压。

三、NAND：跳过G10，G11瞄准400层以上与AI负载

在NAND Flash领域，美光调整了迭代节奏，宣布跳过G10节点，直接由G9演进至G11。

G11节点目标：层数将突破400层，重点优化AI负载下的读写性能与耐久性。

技术重心：除了追求更高的堆叠层数，美光在G11节点将更注重单元级结构的改良，以应对QLC/PLC时代的数据保持力挑战，并针对AI训练数据写入频繁的特点进行专项优化。

四、SSD：PCIe 6.0落地与计算存储探索

虽然研讨会重点在于存储介质，但美光也简要展望了SSD成品的发展方向：

接口升级：全面跟进PCIe 6.0标准，以匹配下一代服务器平台的带宽需求，解决AI集群中的数据传输瓶颈。

形态演进：除了传统的U.2/U.3形态，美光继续看好EDSFF（E1.S/E1.L）在企业级市场的普及，因其更好的散热和密度优势。

计算存储：配合前述的vEIM概念，SSD端侧也将探索更多的近数据处理能力，减少数据在存储与计算单元间的无效搬运。