湖北
近日，美光明确表示，不会将4F² DRAM架构推进商业化量产。
经过约二十年的研究并制造过多代原型产品后，该公司认为，该架构在制造成本、工艺复杂度及先进节点微缩方面存在明显限制，长期商业化前景不足以支撑持续投入。美光因此决定继续推进传统6F² DRAM的微缩，同时将3D DRAM作为并行研发方向。
美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer于2026年10月21日举行的公司技术与产品领导力网络研讨会上披露了这一决定。
4F² DRAM采用垂直沟道晶体管（Vertical Channel Transistor，VCT）等结构，可将单个存储单元的名义占位面积从传统6F²缩小至4F²。在特征尺寸相同、仅比较单元面积的理论条件下，其占地面积可减少约三分之一，单位面积的理论单元数量则可提高约50%。
然而，单元面积的理论优势并不等于实际DRAM芯片位密度的同比例提升。美光指出，实际位密度还受到电容器尺寸、节距（capacitor pitch）及整体阵列布局等因素制约。单纯缩小晶体管占位面积，并不能保证存储阵列实现相应的密度增长。
DeBoer认为，4F²相较6F²能够带来显著密度优势的说法“多少是个神话”（a bit of a myth），并将部分相关宣传形容为“烟雾与镜子”（smoke and mirrors）。在美光看来，4F²在较成熟节点上虽然能够制造，但其工艺复杂度和成本更高；进入先进节点后，还会遭遇进一步微缩的根本性障碍。因此，公司认为，继续投入资源推进4F²未必能获得与成本相匹配的密度收益。
美光的策略并非立即转向3D DRAM，而是尽可能延长6F²平面DRAM的经济可行生命周期，并提前布局下一代架构。
在当前技术路线图中，1γ（1-gamma）DRAM节点已进入高容量量产阶段，将支撑公司未来一段时期的主要产品。下一代1δ（1-delta）节点计划于2027年下半年进入量产爬坡，目标实现约20%中段的位密度提升。美光正以爱达荷州博伊西的研发工作为重点推进该节点，并规划在相关生产设施逐步扩大制造。该节点还将针对HBM5、垂直HBM及垂直边缘推理内存等AI相关产品进行优化。
后续的1ε（1-epsilon）节点将引入晶圆键合（wafer bonding）技术，为进一步提高位密度及开发面向AI应用的产品提供支持。与此同时，美光还计划探索高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）和新材料等技术，以延续平面DRAM的微缩进程。
3D DRAM则是另一条独立推进的研发路线，美光将其规划在更后期的技术阶段，但目前尚未公布明确的商业化时间表。公司将综合评估技术成熟度、制造成本、工艺复杂度及器件性能，再决定何时导入三维架构。这意味着，3D DRAM并非现有平面路线的简单替代，而是需要与后续工艺节点及产品需求相衔接的长期技术布局。
总体来看，美光放弃4F² DRAM商业化，反映的是其对单元密度、制造成本与长期微缩能力的综合权衡。公司选择继续推进6F²架构，通过制程微缩、晶圆键合及新材料延长平面DRAM的发展周期，同时并行开发3D DRAM，为未来的架构转换做准备。这一路线能否取得预期成效，最终仍取决于实际位密度提升、量产良率、每比特制造成本及产品性能，而不仅是存储单元的理论面积。
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