美光CTO点评长鑫4F²：密度优势？有点神话！4F²是我们发明的，已研究了二十年

作者 | 汤安迪

编辑 | 周欢

10 月 21 日上午，美光开了一场webinar技术交流会，总裁兼首席技术产品官 Scott DeBoer给 DRAM 的一个技术方向宣判了死刑：

4F²。

"4F² 是我们发明的，我们研究了它二十年。"DeBoer 说，"密度优势？有点神话。"

“DRAM 的密度由电容间距决定，不是纸面上的单元布局，先进节点上"4F² 缩放存在根本性问题，最终将由 3D DRAM 取而代之”。”

10 月 10 日，长鑫存储总裁曹堪宇在上海的一场行业大会上已经宣布：4F² DRAM 架构取得关键进展，年底前推出搭载该架构的 DDR5 服务器内存（RDIMM）。

三天后，全球市场给出了自己的回应：10 月 13 日，SK 海力士跌超 10%，三星跌 7.4%，美光两个交易日累计跌近 8%。

以下根据会议纪要与公开报道整理，尽量还原演讲原貌。主讲人为美光 CTOScott DeBoer，主持人为 IR 负责人 Satya Kumar。

DeBoer 上来的定调是：美光正处于"历史上最强的位置”。

存储已经成为 AI 的瓶颈。容量和带宽，决定系统性能，也决定每个 token 的成本。给出了路线图：DRAM、HBM、NAND 三条线。

1、

存储成了 AI 的瓶颈

DRAM 路线图：2027 下半年换档：

当前在产旗舰是 1γ（1-gamma），未来一年扛全部核心产品线：服务器 DRAM、LPDDR、HBM4E 的核心 die。

接棒的是 1δ（1-delta）。DeBoer 称之为美光连续第五个行业领先节点：2027 下半年从爱达荷州博伊西开始爬坡，位密度提升 mid-20%，从一开始就按 HBM5 和垂直 HBM 的需求设计。时间点衔接得很讲究——美光第一座美国新厂的产出也排在大约 2027 年中。

另据报道，三星的等价节点瞄准 2027 年末。

再往后，路线图的性质变了。1ε 开发"进展顺利"，引入晶圆键合，部分像 3D 堆叠，而不是纯光刻缩微。1ζ 和 1η 还在路径探索，High-NA EUV 和新材料在清单上。

而 3D DRAM，这次正式写进路线图：插在 1ζ 和 1η 之间，平行推进，导入时点由经济性决定，目标是"经济上划算的时候，随时能拿出来量产”。

2、

HBM：从 2.8 TB/s 到"长在处理器上”

HBM 部分从存量秀肌肉开始。HBM4 已在量产：36GB 12-high，为英伟达 Vera Rubin 平台打造，单栈带宽超过 2.8 TB/s，每引脚 11 Gb/s 以上，带宽约为 HBM3E 的 2.3 倍，能效好 20%。48GB 16-high 已送样，面向超长上下文推理。

HBM4E 2027 日历年爬坡，核心 die 转 1γ。一个结构性变化：基板 die 从自研转为代工厂制造。

据报道是台积电 3nm 级工艺。英伟达的 NVHBM 架构要求三家存储供应商统一用台积电基板 die，存储厂商的"第二颗芯片"业务开始外包化。

新品是垂直 HBM（vertical HBM）：用混合键合，把存储直接键合在处理器顶上，不再绕道中介层。

DeBoer 的原话："这是对算力单元直接叠加存储能力的实现，是我们与客户共同交付这一方案的关键要素——它以协同设计提供极致带宽，同时在很多情况下仍然在 XPU 边缘继续使用 HBM。"

一起亮相的还有垂直边缘推理存储（vertical EIM），低功耗 DRAM 堆在逻辑 die 上，面向机器人和汽车。DeBoer 说它的带宽超过 PIM（存内计算）方案，两条路线美光都在走。

但他补了一句：trade ratios continue to increase，交换比还在恶化。垂直产品和 HBM 吃掉的晶圆，都比常规 DRAM 多。

HBM3E 在同节点同容量下的晶圆投入，大约是 DDR5 的三倍。带宽每上一个台阶，同一片产能就从商品 DRAM 里扣走一部分。

3、

NAND：跳一代

直接 400+ 层

NAND 的部分最激进：美光直接从 Gen 9 跳到 G11。

参数：400 层以上，晶圆对晶圆键合，位密度是 Gen 9 的两倍，I/O 速度 1.5 倍，数据传输能耗更低。爬坡窗口同样是 2027 下半年，和 1δ DRAM 撞在同一个窗口，等于 2027 年末美光全线换档。DeBoer 称之为“全球最先进的 NAND”。

All in AI 的意味很明显：美光刻意做大代际跨越，未来两年还要推更高性能的 AI 级 NAND。

4、

4F² 美光不看好

问答环节的第一个重磅问题来自 UBS 分析师 Tim Arcuri：为什么美光认为 4F² 没有可行路径？

DeBoer 的回答像是在念一份二十年研究史：

"4F² 是我们发明的，我们研究了它二十年，选择不商业化。DRAM 密度由电容之间的间距决定，而不是纸面上的单元布局，所以 4F² 相对 6F² 的所谓密度优势，有点神话。

在成熟节点我们能做 4F²，但成本和复杂度更高。在先进节点，4F² 缩放存在根本性问题。最终会是 3D DRAM 取而代之。"

这段话没有点名任何人。但业界都听得懂它打向哪里：长鑫、三星公开研究的 4F²/垂直沟道晶体管路线。

而长鑫的战场恰恰是成熟节点，如果 4F² 是在现有工具链上白捡的密度，"成本更高"就是个相对概念。

发明者眼里的死路，可能是后发者眼里的捷径。

关于这轮存储超级周期什么时候缓解，DeBoer 给出了全场最短也最重的回答之一：

紧缺至少持续两年。"我们实际上看不到供需回到平衡的那一天。"

不同 AI 机架架构会改变 LPDDR、DDR 和 HBM 的配比，但每一项都继续是存储密集型。叠加前面那句"交换比持续恶化”，每一片做 HBM 的晶圆，都是三片没做的商品 DRAM，供给端的算术决定了。没有任何人在这个市场的头部，计划过"缓解"这件事。

AI 也进了美光自己的研发流程：一款数据中心 SSD 的整体开发速度比上一代快了约 60%，新 SSD 控制器从硅到流片的时间缩短一半。

•END•

欢迎点击奇偶工作室，看最新视频~

Question. Write.Narrate. Believe. Become a story.易简传媒的愿景是提问和传播商业故事，让读者更开阔，更聪明。有 2500 万微信粉丝关注我们的账号，欢迎大家关注：