北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122952577A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构至少包括第一牺牲层和位于第一牺牲层下方的第二牺牲层；刻蚀堆叠结构以形成在竖直方向上贯穿堆叠结构的电容孔，并在电容孔内形成第一电极层；执行多次循环工艺，去除第一牺牲层；其中，一次循环工艺包括：对第一牺牲层执行第一刻蚀工艺，以形成暴露部分第一电极层侧壁的第一循环间隙；对第一电极层被暴露的侧壁执行第二刻蚀工艺，以减小被暴露的第一电极层在水平方向上的尺寸。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1089次，财产线索方面有商标信息332条，专利信息725条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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