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IT时代网10月21日消息，三星电子与SK海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的闪存芯片。美国自2022年起限制部分芯片制造设备出口，两家韩国半导体巨头每年需向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品，这种监管限制削弱了扩产能力，也导致部分市场份额流向长江存储。
具体来看，三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂的NAND产线从目前的192层产品升级为240层以上。西安工厂约占三星全球NAND产量的四成。
三星电子回应称正推进相关升级工作并与美国政府保持密切沟通；SK海力士表示一直在和美国政府协商，计划在中国东北部的大连工厂安装设备。知情人士称，两家公司正努力在中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片。
编辑：林一舟
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