广东
分享至
观点网讯：10月21日，据ZDNET Korea消息，芯片厂商Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片，拟用DRAM替代现有的SRAM。
业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。
3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的2D封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。
免责声明：本文内容与数据由观点根据公开信息整理，不构成投资建议，使用前请核实。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
