北京
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国家知识产权局信息显示，日月光半导体制造股份有限公司取得一项名为“电连接结构”的专利，授权公告号CN224875394U，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请的一些实施例提供了电连接结构，包括：镍金属层；铜锡化合物层，位于镍金属层下方；钛层，设置在铜锡化合物层下方；以及焊盘，设置在钛层下方并且与钛层电连接，其中，铜锡化合物层的侧壁与镍金属层的侧壁对准，钛层的侧壁与铜锡化合物层的侧壁对准，并且镍金属层和铜锡化合物层作为连接层以用于电连接。本申请透过在镍金属层下方形成铜锡化合物层作为界面屏障，从而有效提升了镍金属层的可靠性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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