北京
据路透社援引知情人士消息，三星电子与SK海力士正在升级各自的中国工厂，目标是生产更先进的闪存芯片。两家韩国半导体巨头在华产线的技术层级，正被推向一个新数字。
三星电子的计划是把西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，并在2027年12月将月产量提升至4万片。SK海力士则计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品，该工厂目前生产的是192层产品。
升级动作背后是一道监管难题。美国自2022年起限制部分芯片制造设备出口，三星电子和SK海力士每年需要向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局去年还表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。
这种限制削弱了两家公司的扩产能力，也导致部分市场份额让给长江存储。知情人士称，两家公司正努力在中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片。
两家公司的公开表态都指向与美方的沟通。三星电子回应称，公司正推进相关升级工作，并与美政府保持密切沟通。SK海力士表示，公司一直在和美国政府协商，计划在中国东北部的大连工厂安装设备。
一边是产线要往上叠层数，一边是设备安装要等许可证。升级能否按计划落地，卡点不在工厂里。
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