广东
在人工智能（AI）热潮推动的存储器需求激增的大背景下，三星和SK海力士不断扩大生产投资，这一举动不只是限于韩国国内，也包括中国大陆地区，而且正在加速，包括DRAM和NAND闪存制造厂的生产线扩建，以及技术与设备的大规模升级。不过受制于美国政府的设备管制措施，使得这些项目推进起来都断断续续，并不是那么轻松的事情。
据TrendForce报道，最近三星和SK海力士在中国大陆的NAND闪存制造厂都到了升级的关键时期。其中三星计划将其西安工厂生产线从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，SK海力士则将其大连工厂生产线从192层NAND闪存提升至238层NAND闪存，而且寻求进一步提升到生产300层以上NAND闪存，不过这需要获得美国政府的批准。
三星和SK海力士如果迫切希望升级，很大程度是来自长江存储（YMTC）带来的竞争压力。目前长江存储主要以生产160层和232层NAND闪存为主，少量生产294层NAND闪存，并计划提高至300层以上。
不过三星和SK海力士最大障碍仍然是美国政府的设备管制措施，每年都需要获得许可，才能在其中国大陆地区的工厂安装美国供应商的设备。目前三星和SK海力士正在与美国政府进行协调，希望能够更接近于韩国本土工厂的生产标准。
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